Koszalin, 10 marzec 2012r.

Sprawozdanie

Zespół Szkół nr 9 im Romualda Traugutta w Koszalinie - pracownie elektryczne.

Temat: Badanie tranzystorów MOS

1.Pomiar charakterystyki przejściowej tranzystora MOS normalnie wyłączonego. Id=f(Ugs), Uds=const.

a) T1

Uds[V]	Ugs[V]	1,5	1,4	1,2	1,1	1	0,9
2	Id[mA]	106	69,7	23,4	10,18	3,08	1,7
4	Id[mA]	69,5	41,2	22,44	12,03	4,71	1,01
8	Id[mA]	107,2	72,5	50,6	28,86	13,09	5,47
12	Id[mA]	79,1	47,4	27,45	13,36	5,47	0,97

b) T2

Uds[V]	Ugs[V]	1,8	1,9	2	2,1	2,2	2,3	2,4	2,5
2	Id[mA]	1,02	1,76	5,15	11,5	21,93	35,61	56,2	81,4
4	Id[mA]	0,87	1,82	5,43	11,03	21,9	36,2	61,1	86,8
8	Id[mA]	0,66	1,8	5,52	12,23	22,73	36,8	58,1	88,3
12	Id[mA]	0,64	1,46	5,33	12,73	22,25	41,3	61,6	85,9

2.Badanie charakterystyki wyjściowej tranzystora MOS normalnie wyłączonego. Id=f(Uds), Ugs=const.

a) Zakres nie nasycenia charakterystyki wyjściowej tranzystora T1

Ugs[V]	Uds[V]	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1
1,5	Id[mA]	0	27	34,6	38,7	40,9	39,4	40,6	41,3	40,5	40,4	40,1
1,3	Id[mA]	0	13.5	20,8	22,23	22,51	22,47	22,3	22,05	22,01	21,88	21,6
1,2	Id[mA]	0,01	4,82	5,59	5,94	5,91	5,51	5,41	5,38	5,32	5,22	5,16
1,1	Id[mA]	0,01	5	5,57	5,9	5,81	5,63	5,51	5,48	5,49	5,36	5,3
1	Id[mA]	0,01	1,78	1,88	1,89	1,69	1,67	1,64	1,56	1,54	1,49	1,39

b) Pełna charakterystyka wyjściowa tranzystora T1

Ugs[V]	Uds[V]	0	0,5	1	2	3	4	5	6	8	10	12
3	Id[mA]	0,02	22,9	41,9	65,9	66,6	66,3	66,1	65,7	65,2	64,2	63,7
2,5	Id[mA]	0,01	18	26,2	25,5	25,7	24,82	24,48	24,23	23,3	22,41	21,57
2	Id[mA]	0,01	2,19	2,09	2,03	1,99	1,74	1,68	1,61	1,51	1,32	1,16
1,9	Id[mA]	0	0,72	0,7	0,67	0,61	0,59	0,52	0,45	0,43	0,39	0,39
1,8	Id[mA]	0	0,47	0,46	0,45	0,40	0,36	0,34	0,31	0,28	0,22	0,21

c) Zakres nie nasycenia charakterystyki wyjściowej tranzystora T2

Ugs[V]	Uds[V]	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1
1,8	Id[mA]	0	12,8	26,18	27,06	27,09	27,18	27,05	27,53	27,29	27,12	26,99
2	Id[mA]	0	22,26	36,28	36,19	35,72	35,83	35,52	36,34	36,15	36,4	35,9
2,2	Id[mA]	0	19,36	38,9	55,2	62,4	65,3	65,5	66,5	66,5	66,7	66,9
2,4	Id[mA]	0	39,2	44,2	50,8	52,2	53,6	54,4	55,6	55,8	55,3	55,4
2,6	Id[mA]	0	20,11	36,1	63,9	62,6	64,9	66,4	66,5	66,6	66,4	66,5

d) Pełna charakterystyka wyjściowa tranzystora T2

Ugs[V]	Uds[V]	0	0,5	1	2	3	4	5	6	8	10	12
1,8	Id[mA]	0	0,6	0,59	0,57	0,52	0,45	0,44	0,42	0,4	0,33	0,29
2	Id[mA]	0	2,78	2,75	2,68	2,45	2,34	2,18	2,15	1,95	1,81	1,62
2,2	Id[mA]	0	9,89	10,26	10,14	9,82	9,5	9,35	9,02	8,49	7,76	7,41
2,4	Id[mA]	0	1,78	6,61	9,59	12,59	13,72	17,3	18,24	18,43	18,46	18,44
2,6	Id[mA]	0	22,5	40	53,7	53,2	53,1	52,3	52,55	52,06	50,8	49,5

Charakterystyki

Wnioski

1. Tranzystor normalnie wyłączony T1, zaczyna przewodzić gdy napięcie Ugs przekroczy około 0,9V,

2. Tranzystor normalnie wyłączony T2, zaczyna przewodzić gdy napięcie Ugs przekroczy około 1,8V,

3. Badając charakterystykę wyjściową tranzystorów normalnie wyłączonych T1 i T2 widzimy, że wraz ze wzrostem napięcia Ugs rośnie próg nasycenia tranzystora,

4. Maksymalny prąd drenu jaki może popłynąć przez tranzystor jest zależny od wartości napięcia Ugs,

5. Powyżej progu nasycenia tranzytów T1 i T2, wzrost napięcia Uds powoduje spadek prądu drenu Id(patrz charakterystyka wyjściowa - w pełnym zakresie)

6. Dla określonej wartości Ugs, maksymalny prąd drenu jaki może przepłynąć przez tranzystor jest ograniczony wąskim zakresem napięcia Uds.

---