Elementy Elektroniczne pytania 2012


1.polprzewodnik samoistny to

a)Materiał samoistnie generujący prad

b)Półprzewodnik z pojedynczym elektronem walencyjnym

c)Czysty półprzewodnik pozbawiony domieszek i defektow sieci

d)Material w którym samoistnie powstaja domieszki

3.W półprzewodniku typu N

a)Występuje domieszkowanie atomami trójwartościowymi

b)Nośnikami większościowymi są elektrony

c)Nośnikami większościowymi są dziury

d)atomy domieszki nazwane są akceptorami

5.Obszar ładunku przestrzennego w złączu PN

a)Blokuje ruch nośników większościowych

b)Przyspiesza ruch nosnikow wiekszosciowych

c)Spowalnia nosniki mniejszościowe

d)To obszar w którym wystepuje duza koncentracja wolnych noscnikow

6. przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym szerokość barjery potencjalu

a)Zmniejsza się

b)Zwieksza

c)W całości wnika do obszaru N

d)W całości wnika do obszaru B

9.Zjawisko zehnera i przebicie lawinowe złącza PN są:

a)wynikiem zderzen nośników większościowych z atomami sieci

b)wynikiem dzialania silnego pola elektrycznego w obszarze złącza

c)mogą występować jednoczesnie

d)sa zjawiskami nieodwracalnymi

10. ujemna rezystancje dynamiczna wykazuja diody

a)Mikrofalowe

b)Zehnera

c)Tunelowe

d)Pojemnościowe

14.najwieksze wzmocnienie pradowe zapewnia konfiguracja tranzystora w układzie

a)Żadne z poniższych

b)OE

c)OB

d)OC

15.Punkt pracy tranzystora PNP

a)zawsze pokrywa się z punktem 00 charakterystyki kolektora Uce

b)jest jednoznacznie określony przez kombinacje Ic, Ib, Uce

c)istnieje tylko jeden

d)nie leży na prostej obciążenia

\

18.W tranzystorze JFET typu n wzrost napiecia Ugs powoduje

a) zmniejszenie prądu nasycenia drenu

b)zwiększenie prądu nasycenia drenu

c)wzrost prądu bramki

d)spadek pradu bramki

21.Uzupelnij zdanie ”Tranzystor jednozlaczowy jest” elementem przełączającym działającym na zasadzie modulacji konduktywności półprzewodnika

a)Dwuzacioskowym bipolarnym

b) Trojzaciskowym bipolarnym

c) Dwuzaciskowym polowym

d)Trojzaciskowym polowym

24. przy normalnej pracy tyrystora miedzy stanem blokowania a przewodzenia wystepuje

a)Stan zaworowy

b)Stan nasycenia

c)Obszar uszkodzeń obwodu bramkowego

d) Obszar ujemnej rezystancji dynamicznej

27. Barwa promeniowania emitowanego przez diode LED zalezy od

a)Szerokości przerwy zabronionej

b)Szerokości obszaru ładunku przestrzennego

c)Ruchliwości nośników

d)Kierunku polaryzacji

26. Jednostka natężenia oświetlenia jest

a)Kandela

b)Lux

c)Lumen

d)Vatt

28 Wspolczynnik wypelnienia FF ogniwa fotoelektrycznego definiowany jest jako

a)Bezwzgledna roznica miedzy napieciem nieobciążonego/obciążonego ogniwa Fotoelektrycznego

b) stosunek mocy maksymalnej wydzielonej w obciążeniu do mocy teoretycznej

c)stosunek pradu maksymalnego płynącego przez obciążenie do pradu fotoelektrycznego

d)stosunek mocy wytworzonej do mocy padającego promieniowania

30.w ogniwie fotoelektrycznym przy braku obciążenia zależność fotopradu od natężenia oświetlenia jest

a)Liniowa

b)Ekspotencjalna

c)Kwadratowa

d)Logarytmiczna



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
elementy mroczka pytania mix by czaku, PWr, IV Semestr, Elementy Elektroniczne
Egzamin Elementy Elektroniczne 18 01 2012 sdc
Pytania-Elementy elektrotechniki i elektroniki##, Technologia chemiczna, Jurewicz
elementy elektroniczne plotka 2kola cwiczeniowe 2012 2013
elementy mroczka pytania mix by czaku, PWr, IV Semestr, Elementy Elektroniczne
elementy elektroniczne plotka 2kola cwiczeniowe 2012 2013
Egzamin Elementy Elektroniczne 18 01 2012 sdc
zadania na egzaminie czerwcowym 2009, Elektrotechnika, PODSTAWY ELEKTROTECHNIKI, pytania
III - społeczeństwo 3, WOS - matura, Inne materiały, Pytania 2012
Elektrotechnika pytania
elementy elektroniczne
,układy elektroniczne, pytania na egz
Elementy elektroniczne stosowane w UTK
Elementy Elektroniczne
III - demokracja i państwo 1, WOS - matura, Inne materiały, Pytania 2012
I c Prawa człowieka - kartkówka, WOS - matura, Inne materiały, Pytania 2012
Elektroenergetyka pytania na zal laboratorium, Nauka i Technika, Elektroenergetyka
elektrotechnika pytania dla ib

więcej podobnych podstron