1.polprzewodnik samoistny to
a)Materiał samoistnie generujący prad
b)Półprzewodnik z pojedynczym elektronem walencyjnym
c)Czysty półprzewodnik pozbawiony domieszek i defektow sieci
d)Material w którym samoistnie powstaja domieszki
3.W półprzewodniku typu N
a)Występuje domieszkowanie atomami trójwartościowymi
b)Nośnikami większościowymi są elektrony
c)Nośnikami większościowymi są dziury
d)atomy domieszki nazwane są akceptorami
5.Obszar ładunku przestrzennego w złączu PN
a)Blokuje ruch nośników większościowych
b)Przyspiesza ruch nosnikow wiekszosciowych
c)Spowalnia nosniki mniejszościowe
d)To obszar w którym wystepuje duza koncentracja wolnych noscnikow
6. przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym szerokość barjery potencjalu
a)Zmniejsza się
b)Zwieksza
c)W całości wnika do obszaru N
d)W całości wnika do obszaru B
9.Zjawisko zehnera i przebicie lawinowe złącza PN są:
a)wynikiem zderzen nośników większościowych z atomami sieci
b)wynikiem dzialania silnego pola elektrycznego w obszarze złącza
c)mogą występować jednoczesnie
d)sa zjawiskami nieodwracalnymi
10. ujemna rezystancje dynamiczna wykazuja diody
a)Mikrofalowe
b)Zehnera
c)Tunelowe
d)Pojemnościowe
14.najwieksze wzmocnienie pradowe zapewnia konfiguracja tranzystora w układzie
a)Żadne z poniższych
b)OE
c)OB
d)OC
15.Punkt pracy tranzystora PNP
a)zawsze pokrywa się z punktem 00 charakterystyki kolektora Uce
b)jest jednoznacznie określony przez kombinacje Ic, Ib, Uce
c)istnieje tylko jeden
d)nie leży na prostej obciążenia
\
18.W tranzystorze JFET typu n wzrost napiecia Ugs powoduje
a) zmniejszenie prądu nasycenia drenu
b)zwiększenie prądu nasycenia drenu
c)wzrost prądu bramki
d)spadek pradu bramki
21.Uzupelnij zdanie ”Tranzystor jednozlaczowy jest” elementem przełączającym działającym na zasadzie modulacji konduktywności półprzewodnika
a)Dwuzacioskowym bipolarnym
b) Trojzaciskowym bipolarnym
c) Dwuzaciskowym polowym
d)Trojzaciskowym polowym
24. przy normalnej pracy tyrystora miedzy stanem blokowania a przewodzenia wystepuje
a)Stan zaworowy
b)Stan nasycenia
c)Obszar uszkodzeń obwodu bramkowego
d) Obszar ujemnej rezystancji dynamicznej
27. Barwa promeniowania emitowanego przez diode LED zalezy od
a)Szerokości przerwy zabronionej
b)Szerokości obszaru ładunku przestrzennego
c)Ruchliwości nośników
d)Kierunku polaryzacji
26. Jednostka natężenia oświetlenia jest
a)Kandela
b)Lux
c)Lumen
d)Vatt
28 Wspolczynnik wypelnienia FF ogniwa fotoelektrycznego definiowany jest jako
a)Bezwzgledna roznica miedzy napieciem nieobciążonego/obciążonego ogniwa Fotoelektrycznego
b) stosunek mocy maksymalnej wydzielonej w obciążeniu do mocy teoretycznej
c)stosunek pradu maksymalnego płynącego przez obciążenie do pradu fotoelektrycznego
d)stosunek mocy wytworzonej do mocy padającego promieniowania
30.w ogniwie fotoelektrycznym przy braku obciążenia zależność fotopradu od natężenia oświetlenia jest
a)Liniowa
b)Ekspotencjalna
c)Kwadratowa
d)Logarytmiczna