1.Wraz ze wzrostem temperatury liczba nośników prądu w półprzewodnikach:
a) rośnie
2.Półprzewodnik. samoistny to:
a) materiał samoistnie generujący prąd
b) półprzew. z pojedynczym elektronem walencyjnym
c) czysty półprz. pozbawiony domieszek i defektów sieci
d) materiał w którym samoistnie powstają domieszki
3.Półprz. domieszkowany to:
a) materiał łatwo mieszalny
b) półprz. z celowo wprowadzonymi zanieczyszczeniami
c) materiał w którym samoistnie powstają domieszki
d) materiał w którym nie powstaje dodatkowy poziom energetyczny
4.Obszar ładunku przestrzennego w złączu p-n:
a) blokuje ruch nośników większościowych
b) przyspiesza nośniki większościowe
c) spowalnia nośniki mniejszościowe
d) to obszar w ktorym występuje duża koncentracja wolnych nośników
5.Ujemną rezystancję dynamiczną wykazują diody:
a) mikrofalowe
b) Zenera
c) tunelowe
d) pojemnościowe
6.Które twierdzenie nie jest prawdziwe: Tranzystor FET w porównaniu z bipolarnym ma:
a) większą impedancję wejsciową
b) mniejsze zakłócenia
c) gorsze właściwości w zakresie W.CZ (??)
d) dużo gorszą skalę integracji układu scalonego
7. Punkt tranzystora PNP:
a) zawsze pokrywa się z punktem zero zero charakterystki ic od ucm
b) jest jednoznacznie określony przez kombinację prądu ic, ib, uce
c) istnieje tylko jeden
d) nie zależy od prostej obciążenia
8. Zjawisko Zenera i przebicie lawinowe złącza PN:
a) są wynikiem zderzenia nośników mniejszościowych z atomami sieci
b) są wynikiem działania silnego pola elektr. w obszarze złącza
c) mogą występować jednocześnie
d) są zjawiskami nieodwracalnymi
9. W tranzystorze MOSFET z kanałem zaindukowanym dla UGE=0 (Prawdopodobnie powinno być Ugs=0) (nie wiem czy coś jeszcze było w treści pytania):
a) płynie duży prąd drenu
b) zostaje zaindukowany kanał
c) prąd drenu nie płynie
d) tr. pracuje w zakresie aktywnym
10. Światłem widzialnym nazywamy promieniowanie e-m w zakresie:
a) 120-380
b) 380-780 nanometrów
c) powyżej 380
d) poniżej 1000
11. Emisja promieniowania w diodzie LED następuje w wyniku:
a) poszerzenia obszaru ład. przestrz.
b) polaryzacji w kierunku zaporowym
c) rekombinacji promienistej
d) tunelowego przebicia złącza
12. Pracę tranzystora jako wzmacniacza zapewnia polaryzacja złącz:
a) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku przewodzenia
b) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku przewodzenia
c) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku zaporowym
d) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku zaporowym
13. Przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym szerokość bariery potencjałów:
a) zmniejsza się
b) zwiększa się
c) w całości wnika do obszaru N
d) w całości wnika do obszaru P
14. Wraz ze wzrostem temperatury w półprzewodniku:
a) rezystancja maleje
b) rezystancja rośnie
c) nie zmienia się
d) (nie zdążyłem zapisać ale coś było o logarytmicznie czy wykładniczo)
15. Największe wzmocnienie prądowe zapewnia konfiguracja tranzystora w układzie:
a) żadne z poniższych
b) w układzie(OE) -wspólny emiter
c) w układzie(OB) -wspólna baza
d) w układzie(OC) -wspólny kolektor
16. Uzupełnij zdanie:
Tranzystor jedno złączowy jest ...... . Elementem przełączającym działającym na zasadzie
modulacji konduktywności półprzewodnika.
a) dwu-zaciskowym bipolarnym
b) trój-zaciskowym bipolarnym
c) dwu-zaciskowym polowym
d) trój-zaciskowym polowym
17. Zakres nasycenia MOSFET nazywamy zakresem:
a) bramkowym
b) diodowym
c) triodowym
d) pentodowym
18. Do zalet programowalnego tranzystora jednozłączowego w stosunku do nieprogramowalnego NIE ZALICZAMY:
a) większe napięcie przebicia
b) możliwość pracy przy małych napięciach
c) programowalne napięcie przełączające
d) mniejsza amplituda syngału wyjściowego
19. Przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia dla małych prądów:
a) rezystancja złącza Rj jest zaniedbywalnie mała (???)
b) udział rezystancji w złączach Rj i rezystancji podłoża Rd jest porównywalny
c) przeważa rezystancja złącza Rj
d) przeważa rezystancja podłoża Rd
20. W tranzystorze JFET typu n wzrost napięcia Ugs powoduje:
a) zmniejszenie prądu nasycenia drenu
b) zwiększenie prądu nasycenia drenu
c) wzrost prądu bramki
d) spadek prądu bramki
21. Przy normalnej pracy tyrystora między stanem blokowania a stanem przewodzenia występuje:
a) stan zaporowy (??)
b) stan nasycenia (??)
c) obszar uszkodzeń obwodu bramkowego
d) obszar ujemnej rezystancji dynamicznej
22.Zależność prądowo-napięciowa diody w kierunku przewodzenia opisana jest równaniem:
a) Id=Iu*exp(qU/kT)
23. W przewodniku szerokość pasma zabronionego wynosi:
a) 0 (wie występuje)
24. Współczynnik wzmocnienia prądowego ukł. ze wspólnym emiterem(na kole poprawkowym bedzie z kolektorem) to stosunek:
a) Ic/Ib = (alfa*Ie)/[(1-alfa)*Ie] = alfa/(1-alfa) = BETA (50-500)
25. Jednostka natężenia oświetlenia:
a) luks[lx] [lumen/metr^2]
26.W półprzewodniku typu N występuje:(nie zdążyłem odpowiedzi zapisać)
pięć elektronów walencyjnych,
Nośnikami większościowymi są elektrony swobodne, nośnikami mniejszościowymi są wolne dziury.
Domieszkowanie atomami pięciowartościowymi (donorowe) a więc nośnikami większościowymi są elektrony.
27. Obszarowi fotodiody odpowiada ćwiartka:
a) 3
28. Wyłączenie fototyrystora jest możliwe dzięki:
a) Przerwaniu prądu anodowego lub poprzez zmianę biegunowości napięcia zasilającego.
29. Od czego zależy barwa promieniowania diody LED?
a) Od materiału półprzewodnikowego z jakiego została wykonana (szerokości przerwy wzbronionej).
30. Współczynnik wypełnienia FF ogniwa fotoelektrycznego:
Współczynnik wypełnienia - jest to stosunek maksymalnej osiągalnej mocy wynikającej z charakterystyk do teoretycznej (niemożliwej do osiągnięcia) mocy maksymalnej (Voc * Isc).
FF=Im*Um/Isc*Usc
gdzie:
ImUm ->prąd i napiecie odpowiadające punktowi przegięcia w charakterystyce I-U
IscUsc ->prąd zwarcia i napięcie rozwarcia
31. Terystor blokujący wsteczny - SCR
32. W ogniwie fotoelektrycznym zależność natężenia prądu jest:
33. Wartośc prądu Ic w obwodzie wynosi(rysunek prostego obwodu z tranzystorem)
Odpowiedzi oznaczone "(???)" - brak pewności co do poprawności odpowiedzi. Miło by było, gdyby ktoś je potwierdził. Ewentualne błędy w odpowiedziach oraz dodatkowe pytania proszę zgłaszać na forum lub na dkczaku@o2.pl
CZAKU :-)