1.Wraz ze wzrostem temperatury liczba nośników prądu w półprzewodnikach:
rośnie

2.Półprz. samoistny to:
a) materiał samoistnie generujący prąd
b) półprzew. z pojedynczym elektronem walencyjnym
c) czysty półprz. pozbawiony domieszek i defektów sieci
d) materiał w którym samoistnie powstają domieszki

3.Półprz. domieszkowany to:   (to jest chyba pytanie które będzie na kole poprawkowym)
a) materiał łatwo mieszalny
b) półprz. z celowo wprowadzonymi zanieczyszczeniami
c) materiał w którym samoistnie powstają domieszki
d) materiał w którym nie powstaje dodatkowy poziom energetyczny

4.Obszar ładunku przestrzennego w złączu p-n:
a) blokuje ruch nośników większościowych
b) przyspiesza nośniki większościowe
c) spowalnia nośniki mniejszościowe
d) to obszar w ktorym występuje duża koncentracja wolnych nośników

5.Ujemną rezystancję dynamiczną wykazują diody:
a) mikrofalowe
b) Zenera
c) tunelowe
d) pojemnościowe

6.Które twierdzenie nie jest prawdziwe: Tranzystor FET w porównaniu z bipolarnym ma:
a) większą impedancję wejsciową
b) mniejsze zakłócenia
c) gorsze właściwości w zakresie W.CZ
d) duzo gorszą skalę integracji układu scalonego

7. Punkt tranzystora PNP:
a) zawsze pokrywa się z punktem (0,0) charakterystyki Ic od Ube(?)
b)
c)  nie zdążylem zapisac( jak ktoś ma to uzupełnie)
d)

8. Zjawisko Zenera i przebicie lawinowe złącza PN:
a) są wynikiem zderzenia nośników mniejszościowych z atomami sieci
b) są wynikiem działania silnego pola elektr. w obszarze złącza
c) mogą występowac jednoczesnie
d) są zjawiskami nieodwracalnymi

9. W tranzystorze MOSFET z kanałem zaindukowanym dla UGE=0 (Prawdopodobnie powinno być Ugs=0) (nie wiem czy coś jeszcze było w treści pytania):
a) płynie duży prąd drenu
b) zostaje zaindukowany kanał
c) prąd drenu nie płynie
d) tr. pracuje w zakresie aktywnym

10. Światłem widzialnym nazywamy promieniowanie e-m w zakresie:
a) 120-380
b) 380-780            nanometrów
c) powyżej 380
d) poniżej 1000   

11. Emisja promieniowania w diodzie LED następuje w wyniku:
a) poszerzenia obszaru ład. przestrz.
b) polaryzacji w kierunku zaporowym
c) rekombinacji promienistej
d) tunelowego przebicia złącza

12. Wartośc prądu Ic w obwodzie wynosi(rysunek prostego obwodu z tranzystorem):

13. Współczynnik wzmocnienia prądowego ukł. ze wspólnym emiterem(na kole poprawkowym bedzie z kolektorem) to stosunek:
Beta=Ic/Ib

14. Zależność prądowo-napięciowa diody w kierunku przewodzenia opisana jest równaniem:
Id=Iu*exp(qU/kT)

Tak podał nowe pytania:

15. Wraz ze wzrostem temperatury w półprzewodniku:
   
   a) rezystancja maleje
   b) rezystancja rośnie
   c) nie zmienia się   
   d)          (nie zdążyłem zapisać ale coś było o logarytmicznie czy  wykładniczo)

16 .W półprzewodniku typu N występuje:(nie zdążyłem odpowiedzi zapisać)
Chodzi pewnie o to ze dziury sa nosnikami mniejszosciowymi a elektrony swobodne wiekszosciowymi
   a)
   b)
   c)
   d)

17. W przewodniku szerokość pasma zabronionego wynosi:
nie wystepuje 0
18. Przy polaryzacji diody w kierunku zaporowym szerokość bariery potencjałów:
   
   a) zmniejsza się
   b) zwiększa się
   c) w całości wnika do obszaru N
   d) w całości wnika do obszaru P

19.Przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia dla małych prądów:
   
   a) rezystancja złącza Rj jest zaniedbywalnie(?) mała
   b) udział rezystancji w złączach Rj i rezystancji podłoża Rd jest porównywalny
   c) przeważa rezystancja złącza Rj
   d) przeważa rezystancja podłoża Rd



20. Pracę tranzystora jako wzmacniacza zapewnia polaryzjacja złącz:
   
   a) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku przewodzenia
   b) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku przewodzenia
   c) emiterowego w kierunku przewodzenia i kolektorowego w kierunku zaporowym
   d) emiterowego w kierunku zaporowym i kolektorowego w kierunku zaporowym

21. Największe wzmocnienie prądowe zapewnia konfiguracja tranzystora w układzie:
   
   a) żadne z poniższych
   b) w układzie(OE) -wspólny emiter 
   c) w układzie(OB) -wspólna baza          
   d) w układzie(OC) -wspólny kolektor

22. w tranzystorze JFET typu N wzrost napięcia Ugs powoduje:

   a) zmniejszenie prądu na ...... (na czymś tam)
   b) zwiększenie prądu na .......
   c) wzrost prądu bramki
   d) spadek prądu bramki

24. Zakres nasycenia MOSFET nazywamy zakresem:
   
   a) bramkowym    
   b) diodowym
   c) triodowym
   d) pentodowym

25. Uzupełnij zdanie:
Tranzystor jedno złączowy jest ...... . Elementem przełączającym działającym na zasadzie
modulacji konduktywności półprzewodnika.

   a) dwu-zaciskowym bipolarnym
   b) trój-zaciskowym bipolarnym
   c) dwu-zaciskowym polowym
   d) trój-zaciskowym polowym

26. Do zalet programowalnego tranzystora jednozłączowego w stosunku do nieprogramowalnego
NIE ZALICZAMY:
   
   a) większe napięcie przebicia
   b) możliwość pracy przy małych napięciach
   c) programowalne napięcie przełączające
   d) mniejsza amplituda syngału wyjściowego

27. Przy normalnej pracy tyrystora między stanem blokowania a stanem przewodzenia występuje:
   
   a) stan zaporowy
   b) stan nasycenia
   c) obszar uszkodzeń obwodu bramkowego
   d) obszar ujemnej rezystancji dynamicznej

29. Barwa promieniowania emitowanego przez diody LED zależy od materiału półprzewodnikowego są to barwy: niebieska, żółta, zielona, pomarańczowa, czerwona

30. Jednostka natężenia oświetlenia- lumen

31

---