Wymien trendy rozwojowe współczesnej elektroniki (Oleszkiewicz mi powiedział że naważniejsze to wzrost czestotliwości i zmniejszenie mocy)
2) Przelicz 135 na system binarny i sprawdz.'
3)Pole elektryczne.....chyba co to jest, parametry i wzory...
4)klasyfikacja materiałów z użyciem modelu pasmowego, na modelu pasmowym przedstaw generację prosta i rekombinacje prosta, co to półprzewodniki, z jakich materiałów sa robione.
5)złącze p-n, idealne złacze p-n ( charakterystyka I=f(U), wzór shockleya i założenia), rzeczywiste złącze p-n (charakterystyka I=f(U) wzór shockleya),wpływ rezystancji szeregowej i równoległej , spolaryzowac p-n zaporowo na symbolu złącza.
6)Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera. Zilustruj na modelu pasmowym mechanizm tego zjawiska. Podaj praktyczny sposób wykorzystania tego zjawiska.
7)trancystor bipolarny NPN (nie pamietam dokladnie co mialem najlepiej nauczyc sie wszystkiego bo w każdej grupie cos o nim jest) chyba układ ze wspólnym Emiterem, w pracy aktywnej, spolaryzowac, charakterystyki...., opisać ogólna zasade działania przy paracy aktywnej, symbol graficzny....
8)tranzystor N-JFET, struktura rzeczywista, opisać zasade działania, czemu nazywa sie unipolarny, jak jest sterowany (pradowo czy napięciowo), symbol ogólny i na nim spolaryzowac. charakterystyki
9)układy TTL (nie pamietam co dokładnie)
Ad 3: Co to jest potencjał elektrostatyczny
Ad 4: Przykłady współczesnych materiałów półprzewodnikowych, skutki tych zjawisk (rekombinacji i generacji)
Ad 7: jak jest sterowany ten tranzystor? (prądowo)
1). 1
2). 2
3). 13 + 14
4). 17
5). 29
6). 53
7). 57 z tym ze nie wiem czy pnp czy npn mialem + do tego czesc 60, jakas tam charakterystyke wyrysowac + zasada sterowania tranzysoterem + ogolna zasada polaryzacji przy pracy normalnej aktywnej + zdefiniuj wspolczynnik beta i podaj jego wartosc..... WTF?!?!?!
.87 z tym ze opisac trzeba wspolczynnik doskonalosci Q, jak sie go wyznacza, o czym mowi i cos tam chyba jeszcze.
9).79 albo 78 nie jestem pewny + czesc 80 albo 81, z czego z tej drugiej czesci chodzi glownie o narysowanie jakiejs tam charakterystyki i do tego CHYBA wyliczenie jakiegos wspolczynnika ale jesli juz to tylko jednego nie trzech.
10). Połączone szeregowo kolejno BRAMKI NAND, NOR, NOR.
Połączenie w następujący sposób:
Wyjście bramki poprzedniej jest podłączone do wejscia A bramki nastepnej.
Do wejść B kazdej z bramek jest połączona jedna bramka NOT (czyli w sumie są 3 NOT, 1 NAND i 2 NOR). Trzeba podac jaka wartosc wyjdzie na koncu (1 albo 0) i oczywiscie pokazac w jaki sposob nam sie udalo do tego dojsc. Odpowiednie wartosci logiczne sa podane.
prawo kolumba i jak dzialaja na siebie ladunki w przestrzeni;
co to jest sygnal, wymien sygnaly zdeterminowane i narysuj;
tranzystor bipolarny w ukladzie E chyba aktywnym, symbol polaryzacja itp;
cos z prostownikiem i dioda Zenerea chyba.. ale dokladnie nie pamietam..
jak powstaje polprzewodnik typu n , model i co sie dzieje w temp 300
i te ostatnie to chyba z TTL itp..
GRUPA C1
1. Co rozumie się pod pojęciem prądu elektrycznego? Wymień rodzaje prądów elektrycznych. Z czym związane jest ich występowanie? Zdefiniuj pojęcie „natężenie pola elektrycznego i”. Jakim przyrządem mierzy się natężenie prądu elektrycznego i jak przyrząd ten włącz się w obwód elektryczny.
2. Scharakteryzuj sygnał zmienny i sygnał analogowy. Określ istotne różnice między tymi sygnałami. Wykreśl sygnał u=U_m sin(ωt), zaznacz na tym wykresie wartość Um. Zdefiniuj pojęcie wartości skutecznej sygnału zmiennego w czasie ( i(t); u(t) ). Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością skuteczną prądu ( I ) bądź napięcia ( U ).
3. Przedstaw sposób przeliczania z systemu binarnego na system dziesiętny liczby 1111101(2). Sprawdź poprawność wykonanego przeliczenia.
4. Jaką podstawową właściwością charakteryzuje się kondensator? Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C, gdy kondensatory C1=20pF, C2=30pF połączymy szeregowo, a ile gdy połączymy je równolegle.
5. Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowanego typu „n”,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego.
Jaki proces wystąpi w takim materiale gdy temp. Otoczenia zmieni się z T=0K do temp. T=300K?
6. Przedstaw mechanizm powstawania złącza pn. Wymień założenia przyjmowane dla opisu idealnego złącza pn. Na symbolu graficznym diody półprzewodnikowej spolaryzuj tę diodę w kierunku przewodzenia. Jakie składowe prądy występują w tak spolaryzowanym złączu? O czym informuje współczynnik doskonałości złącza n. Przedstaw wykres, z którego można wyznaczyć wartość tego współczynnika. Co to oznacza gdy współczynnik n ma wartość ≤2 ?
7. Podaj zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny pracował w zakresie aktywnym normalnym. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny typu npn dla pracy aktywnej w układzie WEmiter (OE). Zdefiniuj współczynnik β dla tranzystora pracującego w tym układzie pracy. O czym informuje współczynnik β? Podaj typowe wartości tego współczynnika. Narysuj charakterystykę wejściową Iwe=f(Uwe) tranzystora pracującego w tym układzie i stanie pracy. Jak sterowany jest tranzystor bipolarny?
8. Przedstaw: klasyfikację tyrystorów, metody załączania tyrystora. Narysuj charakterystykę IA=f(UAK) tyrystora sterowanego prądem bramki IG. Określ warunki załączania tyrystora. Jak zmienia się polaryzacja złącza tyrystora po załączeniu tj. gdy tyrystor znajduje się w stanie przewodzenia.
9. Co oznacza, że tranzystor MOSFET jest tranzystorem normalnie wyłączonym pracującym ze wzbogaceniem. Przedstaw przekrój przez strukturę i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego kanałem typu n. Narysuj charakterystykę przejściową tego rodzaju tranzystora polowego. Zdefiniuj wzorem kondunktancję przejściową gm i przedstaw sposób graficznego wyznaczania tego parametru z charakterystyki przejściowej.
10. Co to oznacza, że układ cyfrowy działa w logice dodatniej? Przedstaw charakterystykę przejściową bramki NAND wykonanej w technologii TTL. Przy jakiej wartości napięcia następuje przełączenie w takiej bramce. Kiedy bramka pobiera największą moc ze źródła zasilania. Jaki stan logiczny pojawi się na wyjściu szeregowo połączonych bramek logicznych TTL? (rysunek).
GRUPA D1
1. Wyjaśnij pojęcie: obwód elektryczny, schemat ideowy (elektryczny). Wymień elementy obwodu elektrycznego.
2. Scharakteryzuj sygnał w postaci impulsu prostokątnego. Opisz jego podstawowe parametry.
3. Kiedy stosuje się względną miarę logarytmiczną (tzw. Skalę decybelową [dB]). Określ wzorem w skali dB współczynnik wzmocnienia napięciowego Kij tj. stosunek napięć U2/U1. Jeżeli linowy stosunek napięć U2/U1=1√2 to odpowiada to w skali decybelowe ..?.. dB.
4. Narysuj charakterystykę I=f(U) dla trzech wartości rezystancji R1, R2 i R3 gdy R3 > R2 > R1. Wymień podstawowe parametry rezystorów. Ile wynosić będzie wartość rezystancji rezystora zastępczego R gdy rezystory: R1=10Ω , R2=30Ω połączymy szeregowo a ile gdy równolegle?
Dla rezystora o R=100Ω moc maksymalna (Pmax) jaka może się na nim wydzielić wynosi 2W. Jaki prąd maksymalny może przepłynąć przez rezystor?
5. Przedstaw wykorzystując model pasmowy półprzewodnik samoistny. Jakimi właściwościami charakteryzuje się takie materiał półprzewodnikowy w temperaturze T=0K i T=300K?
6. Sklasyfikuj i omów ruch nośników prądu w półprzewodnikach. Co opisuje ruchliwość (μ) nośników w półprzewodniku i jak ten współczynnik zmienia się (wykresy) w funkcji koncentracji (NS). Co jest konsekwencją zróżnicowania ruchliwości w półprzewodnikach typu n i p?
7. Spolaryzuj na symbolu diodę stabilizacyjną w kierunku zaporowym. Przedstaw charakterystykę I=f(U) tak spolaryzowanej diody stabilizacyjnej. Wymień parametry charakteryzujące właściwości diody stabilizacyjnej. Narysuj schemat układu szeregowego stabilizatora napięcia z wykorzystaniem diody stabilizacyjnej. Jaki parametr charakteryzować będzie stabilizator szeregowy zbudowany z wykorzystaniem takiej diody. Zdefiniuj ten współczynnik.
8. Scharakteryzuj (wymień podstawowe cechy, własności tranzystora bipolarnego). Podaj zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny pracował w zakresach: nasycenia, odcięcia. Spolaryzuj na wejściu i wyjściu w układzie WEmiter (WE) tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej. Zaznacz na charakterystyce wyjściowej tranzystora bipolarnego (pracującego w zakresie pracy aktywnej normalnej w układzie Wspólnego Emitera (WE) obszar, w którym ustala się punkt tranzystora. Jak sterowany jest tranzystor bipolarny.
9. Przedstaw klasyfikację tranzystorów MIS. Co to oznacza, że są to tranzystory unipolarne, polowe? Narysuj: przekrój przez strukturę, układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu p. Zdefiniuj czym jest napięcie progowe UT takiego tranzystora. Narysuj jego charakterystykę przejściową zaznaczając UT. Jak sterowany jest taki tranzystor?
10. Jakie jest przeznaczenie układu cyfrowego? Czym charakteryzuje się taki układ (schemat ideowy)? Wymień parametry układów cyfrowych. Jakimi napięciami zasila się: układy TTL, układy CMOS? Jaki stan logiczny pojawi się na wyjściu szeregowo połączonych bramek logicznych TTL?
GRUPA E1
1. Scharakteryzuj: połączenie szeregowe oraz połączenie równoległe elementów w obwodzie elektrycznym. Czego dotyczy I i II prawo Kirchoffa? Przedstaw te prawa.
2. Wyjaśnij, dlaczego sygnały sinusoidalne znajdują powszechne zastosowanie we współczesnej energoelektryce i elektronice.
3. Wymień podstawowe rodzaje polaryzacji dielektryka. Jaka stała charakteryzuje zdolność dielektryka do jego polaryzowania się? Jaką podstawową właściwością charakteryzuje się kondensator. Opisz wzór na pojemność kondensatora płaskiego.
4. Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C, gdy kondensatory C1=40pF, C2=20pF połączymy szeregowo a ile, gdy połączymy je równolegle. Wymieć podstawowe parametry kondensatorów.
5.Zdefiniuj pojęcie konduktywności półprzewodnika. Omów przyczynę zmian konduktywności półprzewodnika domieszkowanego od temperatury jakie przedstawia wykres lnσ=f(1/T), Podaj przykład (symbol graficzny) przyrządu półprzewodnikowego, w którym o jego właściwościach decydują procesy (występujące w materiale półprzewodnikowym) opisane tym wykresem.
6. Przy jakiej polaryzacji złącza wykorzystuje się diodę przy prostowaniu sygnału przemiennego (spolaryzuj na symbolu, w takim przypadku, tę diodę). Korzystając z charakterystyki I=f(U) dla diody prostowniczej wyjaśnij na czym polega prostowanie prądu lub napięcia przemiennego w układzie zasilania. Narysuj schemat prostownika jedno-połówkowego. Przedstaw przebieg napięcia na obciążeniu z podłączonym równolegle na wyjściu układu filtrem pojemnościowym.
7. Podaj zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny pracował w zakresie aktywnym normalnym. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny typu npn dla pracy aktywnej w układzie WEmiter. Zdefiniuj współczynnik β dla tranzystora pracującego w tym układzie pracy. O czym informuje współczynnik β? Podaj typowe wartości tego współczynnika. Narysuj charakterystykę przejściową Iwy=f (Iwe) tranzystora pracującego w tym układzie i stanie pracy.
8. Narysuj model tranzystor bipolarnego w układzie Wspólnego Emitera (WE) z wykorzystaniem parametrów macierzy „h”. Jak sterowany jest ten tranzystor?
9. Wyjaśnij określenie „tranzystory polowe” (unipolarne). Jak sterowany jest ten tranzystor? Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukturę rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu n. Narysuj charakterystykę wyjściową takiego tranzystora. Zdefiniuj parametry: Up, IDSS, gds. Wyznacz graficznie z charakterystyki wyjściowej tranzystora JFET parametr (…).
10. Co to oznacza, że bramki logiczne należą do grup cyfrowych układów kombinacyjnych. Narysuj symbol graficzny oraz schemat elektryczny dwuwejściowej bramki NAND TTL. Określ poziomy napięć przypisanych stanowi logicznemu 0 i 1 (logika dodatnia_ dla bramek wykonanych w technologii TTL. Co to oznacza, że bramka ta znajduje się w stanie wyłączenia? Jaki stan logiczny pojawia się na wyjściu szeregowo połączonych bramek logicznych TTL?
GRUPA F1
1. Jak określa się natężenie pola elektrycznego E w punkcie przestrzeni? Jakiego typu jest to wielkość? Określ jednostkę E. Narysuj obraz pola E pochodzący do ładunku punktowego umieszczonego w przestrzeni.
2. Zdefiniuj pojęcie wartości średniej sygnału zmiennego w czasie ( (i(t); u(t) ). Określ w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością średnią prądu ( Iśr ) bądź napięcia ( Uśr ).
3. Przedstaw sposób przeliczania z systemu dziesiętnego liczby 134(10) na system binarny. Sprawdź poprawność wykonanego obliczenia.
4. Narysuj charakterystykę I=f(U) dla trzech wartości rezystancji R1, R2 i R3 gdy R3 > R2 > R1. Wymień podstawowe parametry rezystorów. Ile wynosić będzie wartość rezystancji rezystora zastępczego R gdy rezystory: R1=20Ω , R2=50Ω połączymy szeregowo a ile gdy równolegle?
Dla rezystora o R=100Ω moc maksymalna (Pmax) jaka może się na nim wydzielić wynosi 2W. Jaki prąd maksymalny może przepłynąć przez rezystor?
5. Jakimi cechami charakteryzuje się materiał określany jako półprzewodnik. Wymień znane Ci rodzaje materiałów półprzewodnikowych. Jak temperatura wpływa na rychliwość nośników ładunku (μ) oraz konduktywność (σ) półprzewodnika. Przedstaw te zależności na odpowiednich wykresach.
6. Przedstaw mechanizm powstawania złącza pn. Na symbolu graficznym diody półprzewodnikowej spolaryzuj diodę w kierunku przewodzenia. Jakie składowe prądu występują w tak spolaryzowanym złączu? Z czego wynika występowanie rezystancji szeregowej Rs? O czym informuje współczynnik doskonałości złącza pn?
7. Spolaryzuj na symbolu złączę pn w kierunku zaporowym. Przedstaw charakterystykę I=f(U) tak spolaryzowanego złącza. Określ warunki w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera. Zilustruj na modelu pasmowym mechanizm przebicia Zenera. Podaj zakres napięć, w których zjawisko to występuje. Podaj praktyczny sposób wykorzystania zjawiska przebicia.
8. Przedstaw: symbol oraz ogólną zasadę polaryzacji tranzystora bipolarnego npn w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym zakresie pracy tranzystora bipolarnego typu npn przedstawia się relacja między potencjałami elektrod tranzystora. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny typu npn dla pracy aktywnej w układzie WEmiter (OE). Zdefiniuj współczynnik β dla tranzystora pracującego w tym układzie pracy. O czym informuje współczynnik β? Podaj typowe wartości tego współczynnika. Jak sterowany jest tranzystor bipolarny?
9. Co oznacza, że tranzystor MOSFET jest tranzystorem normalnie wyłączonym pracującym ze wzbogaceniem? Przedstaw przekrój przez strukturę i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego kanałem typu n. Narysuj charakterystykę wyjściową tego rodzaju tranzystora polowego. Zdefiniuj wzorem konduktancję wyjściową gds i przedstaw sposób graficznego wyznaczania tego parametru z charakterystyki wyjściowej. Jak sterowany jest tranzystor unipolarny?
10. Co to oznacza, że układ cyfrowy działa w logice dodatniej? Przedstaw charakterystykę przejściową bramki NAND wykonanej w technologii TTL. Przy jakiej wartości napięcia następuje przełączenie w takiej bramce. Kiedy bramka pobiera największą moc ze źródła zasilania. Jaki stan logiczny pojawi się na wyjściu szeregowo połączonych bramek logicznych TTL? (rysunek).