1.Charakterystyka przejściowa bramki NAND

W celu uzyskania charakterystyki przejściowej branki NAND realizowanej w technice tranzystorowo - tranzystorowej należało dokonać serii pomiarów. Pomiary polegały na podaniu napięcia wejściowego z generatora następnie należało odczytać napięcie wejściowe i napięcie wyjściowe. W ten sposób mogliśmy zaobserwować jaki wpływ na napięcie wyjściowe mają tranzystory. Wyniki przedstawiam w tabeli oraz na wykresie poniżej.

DC [V]	UIN [V]	UOUT [V]
0	0,05309	4,69
0,1	0,15186	4,68
0,2	0,25064	4,68
0,3	0,349421	4,686
0,4	0,448196	4,686
0,5	0,546958	4,66
0,6	0,645685	4,58
0,7	0,744397	4,437
0,8	0,843105	4,166
0,9	0,941812	3,857
1,0	1,04	3,544
1,1	1,139	3,23
1,2	1,237	2,893
1,3	1,336	2,177
1,31	1,346	2,018
1,32	1,356	1,832
1,33	1,366	1,616
1,34	1,375	1,37
1,35	1,385	1,091
1,36	1,395	0,76348
1,37	1,40	0,26827
1,38	1,409	0,005843
1,39	1,415	0,005877
1,4	1,421	0,00591
1,5	1,475	0,00626
2,0	1,835	0,00734
3,0	2,829	0,007389
4,0	3,823	0,007432
5,0	4,817	0,007475

2. Charakterystykę zmian prądu zasilającego bramkę NAND

Druga część ćwiczenia miała na celu uzyskanie charakterystyki zmian prądu bramki NAND TTL. W tym celu dokonaliśmy serii pomiarów napięcia na wejściu bramki podając napięcie z generatora oraz prąd Icc. Wyniki pomiarów i uzyskana charakterystyka przedstawione są poniżej.

DC[V]	UIN [V]	ICC [mA]
0	0,05309	1,06
0,1	0,15187	1,37
0,2	0,25064	1,012
0,3	0,34942	0,98844
0,4	0,4482	0,96458
0,5	0,54695	0,95551
0,6	0,64569	0,9893
0,7	0,7444	1,043
0,9	0,84311	1,104
1	0,94181	1,169
1,1	1,04	1,235
1,2	1,139	1,311
1,3	1,237	1,685
1,31	1,247	1,829
1,32	1,257	2,031
1,33	1,267	2,313
1,34	1,277	2,708
1,35	1,287	3,254
1,36	1,297	4
1,37	1,306	5
1,38	1,316	6,332
1,39	1,362	8,044
1,4	1,336	10,198
1,41	1,346	12,84
1,42	1,356	15,999
1,43	1,366	19,686
1,44	1,375	23,893
1,45	1,385	28,602
1,46	1,395	33,767
1,47	1,405	39,209
1,48	1,409	3,73
1,5	1,475	3,73
2	1,835	3,678
3	2,829	3,676
4	3,823	3,674
5	4,817	3,672

3.Charakterystyka wejściowa

Trzecia część ćwiczenia miała na celu uzyskanie charakterystyki wejściowej bramki NAND TTL. W tym celu dokonaliśmy serii pomiarów napięcia i prądu na wejściu bramki podając napięcie z generatora. Wyniki pomiarów i uzyskana charakterystyka przedstawione są poniżej.

DC[V]	Iwe(mA)	Uwe (mV)
0	-1,061	53,092
0,1	-1,037	151,868
0,2	-1,012	250,644
0,3	-0,98842	349,421
0,4	-0,96393	444,196
0,5	-0,93917	546,958
0,6	-0,91371	645,685
0,7	-0,88796	744,397
0,8	-0,86215	843,105
0,9	-0,83624	941,812
1	-0,81034	1040
1,1	-0,78442	1139
1,2	-758412	1237
1,3	-0,73037	1336
1,4	-0,42579	1421
1,41	-0,34149	1427
1,42	-0,25499	1437
1,43	-0,16655	1438
1,44	-0,07644	1443
1,45	-0,01514	1449

4.Wnioski

Charakterystyki przejściowa i wyjściowa uzyskane przez nas podczas symulacji komputerowej w programie TINA są zbliżone do charakterystyk teoretycznych. Badając charakterystykę przejściową zauważam Pewne różnice które mogą wynikać z rozbieżności budowy bramek i symulacji komputerowych. Przebieg zachował swoje charakterystyczne punkty X i Z, chociaż względem osi OY charakterystyka przejściowa przesunęła się ku górze o ok. 0,5 [V] w stosunku do charakterystyki teoretycznej. Nachylenie przebiegu za punktem Z nie jest tak strome jak w przypadku przebiegu teoretycznego. Na wykresie zmian prądu zasilającego widać wyraźną igłę prądową dla natężenia z przedziału 1,4-1,5 V. Na końcu dokonaliśmy pomiaru charakterystyki wejściowej której kształt również jest bardzo podobny do kształtu teoretycznego z literatury. Podsumowując wykonanie dobrze znanych przebiegów potwierdza zalety stosowania symulacji komputerowych w budowie układów elektronicznych. Jednocześnie zwraca to uwagę na różnice w działaniu modelu komputerowego i układu rzeczywistego.

---