Marlena Orlińska 10.12.09.r.
Wydział: IZ
Nr albumu: 179110
Ćwiczenie nr 57 C
Badanie efektu Halla.
Cel ćwiczenia:
Celem ćwiczenia jest zapoznanie się ze zjawiskiem Halla przez wyznaczanie zależności napięcia Halla od prądu sterującego Uh=f(Is).
Celem jest także wyznaczenie czułości hallotronu oraz koncentracji elektronów swobodnych.
I. Wstęp teoretyczny:
Jeżeli płytkę hallotronu włączymy w obwód prądu stałego IS i umieścimy w polu magnetycznym, którego wektor indukcji B jest prostopadły do kierunku płytki i do kierunku płynącego prądu elektrycznego, to między punktami A i B wytworzy się różnica potencjałów UH, zwana napięciem Halla.
Napięcie to powstaje w wyniku odchylenia elektronów poruszających się wzdłuż hallotronu, co spowodowane jest działającą na nie siłą Lorentza:
W skutek zakrzywienia toru elektrony gromadzą się na jednej krawędzi płytki. Dzięki temu w płytce powstaje jednorodne pole elektryczne o natężeniu E. Pole to działa na elektrony z siłą:
Gromadzenie elektronów na krawędzi płytki trwa dopóki FL > FE.
Dla warunków równowagi FL = FE napięcie Halla wyraża się wzorem:
Z tego wzoru można również bezpośrednio wyznaczyć czułość hallotronu. Natomiast koncentracje elektronów będzie można wyznaczyć ze wzoru:
II . Część doświadczalna:
Klasa miernika: Woltomierz (zakres 100 [mV], 0,05%rdg±0,01%pełnej skali), Amperomierz (klasa miernika 0,5 [mA], zakres 7,5 [mA] oraz 15 [mA])
Wartości podane w ćwiczeniu:
B0 [T] |
∆B0 [T] |
∆B0/B0 |
d [m] |
∆d [m] |
∆d/d |
e [C] |
0,500 |
0,050 |
0,1000 |
2,0∙10-6 |
0,1∙10-6 |
0,0500 |
1,6∙10-19 |
Wykonany został pomiar dla najmniejszego napięcia Halla UH=0,00 [V], przy którym kąt przyjął wartość α0=255 [°] oraz został wykonany pomiar dla największego napięcia Halla UH=0,1647 [V], przy którym kąt przyjął wartość α=345 [°].
Kąty, różnica między kątami oraz sinus ich różnicy, które będą potrzebne do obliczeń, zostały zamieszczone w tabeli poniżej:
α [°] |
∆α [°] |
∆α/α |
α0 [°] |
∆α0 [°] |
∆α0/α0 |
α - α0 |
sin(α - α0) |
345 |
5 |
0,0145 |
255 |
5 |
0,0196 |
90 |
1 |
Pomiar 1 (dla napięcia Halla, bez uwzględnienia asymetrii pierwotnej):
Wyznaczanie zależności UH = f(IS).
Ustalając stałą wartość indukcji magnetycznej B zmieniamy prąd IS płynący przez hallotron, odczytując każdorazowo wartość napięcia Halla UH:
|
IS [mA] |
∆IS [mA] |
∆IS/IS |
UH [V] |
∆UH [V] |
∆UH/UH |
|
IS/7,5 [mA] |
|
|
UH/1 [V] |
|
|
|
5,0 |
0,0375 |
0,0075 |
0,1637 |
0,0002 |
0,0012 |
|
5,5 |
|
0,0068 |
0,1802 |
0,0002 |
0,0011 |
|
6,0 |
|
0,0063 |
0,1961 |
0,0002 |
0,0010 |
|
6,5 |
|
0,0058 |
0,2133 |
0,0002 |
0,0009 |
|
7,0 |
|
0,0054 |
0,2292 |
0,0003 |
0,0013 |
|
7,5 |
|
0,0050 |
0,2450 |
0,0003 |
0,0012 |
|
IS/15 [mA] |
|
|
|
|
|
|
8,0 |
0,075 |
0,0094 |
0,2609 |
0,0003 |
0,0011 |
|
8,5 |
|
0,0088 |
0,2774 |
0,0003 |
0,0011 |
|
9,0 |
|
0,0083 |
0,2940 |
0,0003 |
0,0010 |
|
9,5 |
|
0,0079 |
0,3088 |
0,0003 |
0,0010 |
|
10,0 |
|
0,0075 |
0,3232 |
0,0003 |
0,0009 |
|
10,5 |
|
0,0071 |
0,3402 |
0,0003 |
0,0009 |
|
11,0 |
|
0,0068 |
0,3574 |
0,0003 |
0,0008 |
|
11,5 |
|
0,0065 |
0,3730 |
0,0003 |
0,0008 |
|
12,0 |
|
0,0063 |
0,3886 |
0,0003 |
0,0008 |
|
12,5 |
|
0,0060 |
0,4031 |
0,0003 |
0,0007 |
|
13,0 |
|
0,0058 |
0,4182 |
0,0003 |
0,0007 |
|
13,5 |
|
0,0056 |
0,4333 |
0,0004 |
0,0009 |
|
14,0 |
|
0,0054 |
0,4481 |
0,0004 |
0,0009 |
|
14,5 |
|
0,0052 |
0,4632 |
0,0004 |
0,0009 |
|
15,0 |
|
0,0050 |
0,4776 |
0,0004 |
0,0008 |
Średnia |
|
|
0,0066 |
|
|
0,0010 |
Po sporządzeniu wykresu zależności UH = f(IS) oraz korzystając z regresji liniowej otrzymałam następujące współczynniki kierunkowe:
a |
∆a |
b |
∆b |
R |
31,486 |
0,118 |
0,009 |
0,001 |
0,9997 |
Równanie regresji liniowej (prostej najlepszego dopasowania):
y = (31,486±0,118)x + (0,009±0,001)
Wartość czułości hallotronu γ wyznaczyłam z regresji liniowej wykresu UH = f(IS) dla zależności UH = γ∙Bn∙IS. Następnie ze wzoru obliczyłam koncentracje elektronów swobodnych n. Otrzymałam następujące wartości:
Bn [T] |
∆Bn [T] |
∆Bn/Bn |
γ [V/A∙T] |
∆γ [V/A∙T] |
∆γ/γ |
n [1/m3] |
∆n [1/m3] |
∆n/n |
0,500 |
0,050 |
0,1000 |
62,973 |
6,773 |
0,1076 |
4,96∙1022 |
0,79∙1022 |
0,1576 |
Niedokładność natężenia prądu ∆IS obliczyłam ze wzoru:
Niedokładność napięcia Halla ∆UH obliczyłam ze wzoru:
(dla zakresu 1 [V])
Indukcje pola magnetycznego Bn obliczyłam korzystając ze wzoru podanego w ćwiczeniu:
Następnie zauważamy, że α-α0=90°, z czego wynika, iż sin90°=1, co wskazuje na to, że:
Bn=B0
Niepewność indukcji pola magnetycznego ∆Bn, będzie równa niepewności indukcji pola magnetycznego ∆B0, wskazuje na to metoda różniczki zupełnej:
Widzimy, że cos90°=0, co upraszcza wzór do postaci:
Natomiast jak już wcześniej wspomniałam sin90°=1, z czego wynika, że ∆Bn=∆B0.
Wartość współczynnika kierunkowego a odpowiada γ∙Bn Z czego wynika, że wzór na czułość hallotronu γ to:
Niepewność czułości hallotronu ∆γ wyznaczyłam metodą różniczki zupełnej:
Następnie posiadając już wszystkie potrzebne wartości, obliczyłam koncentrację elektronów swobodnych n ze wzoru:
Niepewność koncentracji elektronów swobodnych ∆n policzyłam metodą różniczki zupełnej (przyjęto, że e, czyli wielkość ładunku elementarnego jest wyznaczona nieskończenie dokładnie, stąd ∆e=0):
Pomiar 2 (dla napięcia Halla, z uwzględnieniem asymetrii pierwotnej):
Wyznaczanie zależności UR = f(IS).
Ustalając stałą wartość indukcji magnetycznej B zmieniamy prąd IS płynący przez hallotron, odczytując każdorazowo wartość napięcia Halla UH, ten sam pomiar wykonujemy dla napięcia asymetrii pierwotnej UA. Następnie z otrzymanych pomiarów, obliczamy napięcie rzeczywiste UR:
|
IS [mA] |
∆IS [mA] |
∆IS/IS |
UA [mV] |
∆UA [mV] |
∆UA/UA |
UR [mV] |
∆UR [mV] |
∆UR/UR |
|
IS/7,5 [mA] |
|
|
|
UA/100 [mV] |
|
UR/1 [V] |
|
|
|
5,0 |
0,0375 |
0,0075 |
0,00 |
0,01 |
- |
0,16370 |
0,00021 |
0,0013 |
|
5,5 |
|
0,0068 |
0,01 |
0,01 |
1,0005 |
0,18019 |
0,00021 |
0,0012 |
|
6,0 |
|
0,0063 |
0,03 |
0,01 |
0,3338 |
0,19607 |
0,00021 |
0,0011 |
|
6,5 |
|
0,0058 |
0,06 |
0,01 |
0,1672 |
0,21324 |
0,00021 |
0,0010 |
|
7,0 |
|
0,0054 |
0,09 |
0,01 |
0,1116 |
0,22911 |
0,00031 |
0,0014 |
|
7,5 |
|
0,0050 |
0,13 |
0,01 |
0,0774 |
0,24487 |
0,00031 |
0,0013 |
|
IS/15 [mA] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8,0 |
0,075 |
0,0094 |
0,18 |
0,01 |
0,0561 |
0,26072 |
0,00031 |
0,0012 |
|
8,5 |
|
0,0088 |
0,23 |
0,01 |
0,0440 |
0,27717 |
0,00031 |
0,0011 |
|
9,0 |
|
0,0083 |
0,30 |
0,01 |
0,0338 |
0,29370 |
0,00031 |
0,0011 |
|
9,5 |
|
0,0079 |
0,37 |
0,01 |
0,0275 |
0,30843 |
0,00031 |
0,0010 |
|
10,0 |
|
0,0075 |
0,42 |
0,01 |
0,0243 |
0,32278 |
0,00031 |
0,0010 |
|
10,5 |
|
0,0071 |
0,50 |
0,01 |
0,0205 |
0,33970 |
0,00031 |
0,0009 |
|
11,0 |
|
0,0068 |
0,59 |
0,01 |
0,0174 |
0,35681 |
0,00031 |
0,0009 |
|
11,5 |
|
0,0065 |
0,68 |
0,01 |
0,0152 |
0,37232 |
0,00031 |
0,0008 |
|
12,0 |
|
0,0063 |
0,79 |
0,01 |
0,0132 |
0,38781 |
0,00031 |
0,0008 |
|
12,5 |
|
0,0060 |
0,89 |
0,01 |
0,0117 |
0,40221 |
0,00031 |
0,0008 |
|
13,0 |
|
0,0058 |
0,99 |
0,01 |
0,0106 |
0,41721 |
0,00031 |
0,0007 |
|
13,5 |
|
0,0056 |
1,12 |
0,01 |
0,0094 |
0,43218 |
0,00041 |
0,0010 |
|
14,0 |
|
0,0054 |
1,24 |
0,01 |
0,0086 |
0,44686 |
0,00041 |
0,0009 |
|
14,5 |
|
0,0052 |
1,36 |
0,01 |
0,0079 |
0,46184 |
0,00041 |
0,0009 |
|
15,0 |
|
0,0050 |
1,50 |
0,01 |
0,0072 |
0,47610 |
0,00041 |
0,0009 |
Średnia |
|
|
0,0066 |
|
|
0,0999 |
|
|
0,0010 |
Po sporządzeniu wykresu zależności UR = f(IS) oraz korzystając z regresji liniowej otrzymałam następujące współczynniki kierunkowe:
a |
∆a |
b |
∆b |
R |
31,336 |
0,125 |
0,010 |
0,001 |
0,9996 |
Równanie regresji liniowej (prostej najlepszego dopasowania):
y = (31,336±0,125)x + (0,010±0,001)
Wartość czułości hallotronu γ wyznaczyłam z regresji liniowej wykresu UR = f(IS) dla zależności UR = γ∙Bn∙IS. Następnie ze wzoru obliczyłam koncentracje elektronów swobodnych n. Otrzymałam następujące wartości:
Bn [T] |
∆Bn [T] |
∆Bn/Bn |
γ [V/A∙T] |
∆γ [V/A∙T] |
∆γ/γ |
n [1/m3] |
∆n [1/m3] |
∆n/n |
0,500 |
0,050 |
0,1000 |
62,672 |
6,743 |
0,1076 |
4,99∙1022 |
0,79∙1022 |
0,1576 |
Niedokładność natężenia prądu ∆IS obliczyłam ze wzoru:
Niedokładność napięcia Halla ∆UH obliczyłam ze wzoru:
(dla zakresu 1 [V])
(dla zakresu 100 [mV])
Napięcie rzeczywiste UR policzyłam ze wzoru:
Niedokładność napięcia rzeczywistego ∆UR obliczyłam ze wzoru:
Indukcje pola magnetycznego Bn obliczyłam korzystając ze wzoru podanego w ćwiczeniu:
Następnie zauważamy, że α-α0=90°, z czego wynika, iż sin90°=1, co wskazuje na to, że:
Bn=B0
Niepewność indukcji pola magnetycznego ∆Bn, będzie równa niepewności indukcji pola magnetycznego B0, co wskazuje wyżej obliczony wzór.
Wartość współczynnika kierunkowego a odpowiada γ∙Bn Z czego wynika, że wzór na czułość hallotronu γ to:
Niepewność czułości hallotronu ∆γ wyznaczyłam metodą różniczki zupełnej:
Następnie posiadając już wszystkie potrzebne wartości, obliczyłam koncentrację elektronów swobodnych n ze wzoru:
Niepewność koncentracji elektronów swobodnych ∆n policzyłam metodą różniczki zupełnej (przyjęto, że e, czyli wielkość ładunku elementarnego jest wyznaczona nieskończenie dokładnie, stąd ∆e=0):
III. Wyniki i ich niepewności:
Pomiar 1:
γ = 62,973±6,773 [V/A∙T].
∆γ/ γ = 0,10%+10,00%+0,66% = 10,76%
n = 4,96∙1022±0,79∙1022 [1/m3]
∆n/n = 10,76%+5,00% = 15,76%
a = 31,486±0,118
b = 0,009±0,001
R = 0,9997
Pomiar 2:
γ = 62,672±6,743 [V/A∙T].
∆γ/ γ = 0,10%+10,00%+0,66% = 10,76%
n = 4,99∙1022±0,79∙1022 [1/m3]
∆n/n = 10,76%+5,00% = 15,76%
a = 31,336±0,125
b = 0,010±0,001
R = 0,9996
IV. Dyskusja wyników i ich niepewności:
Z pierwszego pomiaru widać od razu, że niepewności napięcia Halla oraz natężenia prądu wahają się. Sądzę, iż mogło być to spowodowane błędem ludzkim przy odczycie wartości z urządzeń analogowych. Poza tym na pomiary wpływ miało również środowisko zewnętrzne. Zauważyć można jednak, że niepewności natężenia prądu są o wiele większe od niepewności napięcia Halla. Wynika to z tego, że pomiary napięcia zostały wykonane miernikiem cyfrowym, a natężenia prądu miernikiem analogowym, co jest mniej dokładne.
Z wykresu UH = f(IS) widzimy, że jest zależnością liniową, gdyż każdy punkt leży na linii najlepszego dopasowania. Poza tym współczynnik korelacji wynosi R=0,9997. Co może wskazywać na to, że pomiar został wykonany dość poprawnie.
Z obliczeń otrzymaliśmy wartość czułości hallotronu γ=62,672±6,773 [V/A∙T]. Na jego niepewność równą ∆γ/γ=10,76% największy wpływ miała indukcja pola magnetycznego, gdyż sięga ona rzędu 10%. Najmniejszy wpływ miała wartość napięcia Halla oraz natężenia prądu.
Obliczona wartość koncentracji elektronów swobodnych wynosi n=4,96∙1022±0,79∙1022 [1/m3], a jego niepewność ∆n/n=15,76%. Zauważyć można, iż niepewność jest bardzo duża, największy wpływ na nią miała niepewność czułości hallotronu. Można stwierdzić, że na pomiar miało wpływ środowisko zewnętrzne, mała ilość pomiarów oraz błąd ludzki.
Z drugiego pomiaru gdzie otrzymaliśmy napięcie rzeczywiste, poprzez odjęcie od napięcia Halla napięcia asymetrii pierwotnej, widzimy iż wyniki są wręcz identyczne do wyników z pierwszego pomiaru. Jedyne różnice (bardzo niewielkie) można dostrzec przy wykresie UR = f(IS), gdyż współczynniki kierunkowe różnią się, ale jedynie w części dziesiętnej.
Wykres także jest zależnością liniową.
Wartości otrzymane z regresji liniowej oraz wzoru podanego w ćwiczeniu różnią się jedynie tylko w części dziesiętnej, co można pominąć. Z tego wynika, że napięcie asymetrii pierwotnej było takie znikome przy wartościach zmierzonych napięcia Halla, że mogliśmy je pominąć.
Wielkość wartości koncentracji elektronów swobodnych n=4,96∙1022±0,79∙1022 [1/m3] sugeruje, iż jest to metal, jednak z braku źródła o wartości tablicowej nie jestem w stanie określić tego dokładnie.
Z wykresu ostatniego zależności UA = f(IS) wynika, iż elektrody hallowskie nie leżą dokładnie naprzeciw siebie (nie leża w jednej linii ekwipotencjalnej). To właśnie spowodowało wytworzenie się napięcia asymetrii pierwotnej.
V. Wnioski:
Przyczynami w błędach pomiarów były niedokładność urządzeń pomiarowych, błąd ludzki przy ustawianiu wartości napięcia, błąd ludzki przy odczycie wartości z urządzeń analogowych, wpływ środowiska zewnętrznego na dokładność pomiarów, mała liczba dokonanych pomiarów i ich powtórzeń.
Układ można usprawnić poprzez wyeliminowanie przyczyn błędów pomiarowych czyli, np. użycie urządzeń o większej dokładności, używanie urządzeń cyfrowych, wyizolowanie układu od wpływu środowiska zewnętrznego, zwiększenie ilości dokonanych pomiarów.