praca-magisterska-wa-c-7612, Dokumenty(2)


Uniwersytet Śląski

Pracownia Elektroniczna

Instytut Fizyki

Sprawozdanie z laboratorium elektroniki

Ćwiczenie nr 5.

Temat:

Badanie przerzutnika Schmitta.

1. Przerzutnik Schmitta.

Przerzutnik Schmitta jest to układ dwóch tranzystorów T1, T2, w których między kolektorem tranzystora T1 a bazą T2 wprowadzono sprzężenie przez oporowy dzielnik napięcia R1R2, drugim zaś elementem sprzężenia zwrotnego jest wspólny opornik emiterowy Re. Stan początkowy układu przy zerowej wartości napięcia wejściowego jest taki, że przewodzi tranzystor T2, zaś tranzystor T1 jest zablokowany; wynika to ze sposobu polaryzowania baz tych tranzystorów, gdyż baza tranzystora T1 jest ujemnie polaryzowana przez spadek napięcia na oporniku Re, baza zaś tranzystora T2 - dodatnio przez oporniki R1, R2. Wartość napięcia wyjściowego (napięcie kolektorowe tranzystora T2) jest w stanie spoczynkowym mała, gdyż tranzystor ten pracuje w stanie nasycenia, a spadek napięcia na oprniku jest niewielki. Jeżeli napięcie wejściowe narasta w sposób liniowy, to początkowo nie powoduje to żadnych zmian w układzie, gdyz tranzystor T1 jest nadal zablokowany ujemnym napięciem bazy (dopóki uwe < od Ure) prąd ic1 pojawia się dopiero wtedy, gdy uwe> Ure, rośnie on początkowo liniowo, równoczesnie obniża się liniowo napięcie kolektora Uce1, ta zmiana napięcia przenosi się na bazę tranzystora T2 przez dzielnik R1R2, jednakże tranzystor T2 trwa dalej w stanie nasycenia i jego prąd ic2 nie ulega zmianie. Przy dalszym wzroście napięcia wejściowego następuje takie obniżenie napięcia bazy Ube2, że tranzystor T2 wychodzi z nasycenia i wchodzi w obszar aktywny; w tym momencie oba tranzystory znajdują się w stanie aktywnym, czyli ich wzmocnienia stają się duże i zostaje spełniony warunek niestabilności układu ku βu >> 1. Dodatnie sprzężenie powoduje gwałtowny przeskok układu, prąd ic1 szybko rośnie, prąd ic2 równocześnie maleje do zera, odpowiednio zmieniają się także skokowo napięcia kolektorowe obu tranzystorów. Dalszy wzrost napięcia wejściowego nie powoduje już większych zmian w rozpływie prądu, jedynie dojście tranzystora T1 do stanu nasycenia.

Rys. A Przerzutnik Schmitta.

Jeżeli napięcie wejściowe będzie się zmieniać w odwrotnym kierunku (a więc będzie liniowo opadać), to zajdą podobne przebiegi o przeciwnym znaku, czyli nastąpi przeskok układu, powodujący zablokowania tranzystora T1 i przepływ prądu tranzystora T2; przeskok następuje jednak przy innej nieco wartości napięcia wejściowego niż w poprzednim przypadku co wskazuje na istnienie niejednoznaczności charakterystyki; charakterystyka układu u2 = f(uwe) ma przebieg typowego układu przekaźnikowego ze strefą nieczułości, przy czym jest to przekaźnik sterowany napięciowo. Przerzutnik Schmitta bywa często stosowany do przetwarzania napięcia sinusoidalnego na impulsy prostokątne o tej samej częstotliwości.

2. Opracowanie uzyskanych wyników.

Wykres A. Charakterystyka wejściowa przerzutnika Schmitta.

Wykres B. Przebieg napięcia przerzutu i powrotu przerzutnika w funkcji rezystancji szeregowej źródła polaryzującego.

3. Porównanie przerzutnika Schmitta i diody tunelowej pod względem wytwarzania ujemnej rezystancji.

0x01 graphic

Rys. B Charakterystyki statyczne diody tunelowej (z lewej strony) i przerzutnika Schmitta (z prawej strony) z różnymi rezystancjami obciążenia.

Analizując charkterystykę nieliniową diody tunelowej, która na rysunku została uzupełniona prostymi obciążeniami dla dwóch przypadków: R`> -rd oraz R``< -rd zauważamy, że dla pierwszego przypadku możliwe są trzy punkty pracy P, Q oraz S co wskazuje na niejednoznaczność rozwiązania i niestabilność. W drugim przypadku tylko punkt pracy Q jest możliwy i układ jest stabilny. Mała rezystancja obciążenia zapewnia stabilność, duża zaś powoduje niestabilność. Układ więc jest stabilny zwarciowo. Dioda tunelowa reprezentuje ujemną rezystancję uzależnioną napięciowo popularnie nazywaną ujemną rezystancją typu N.

Przerzutnik Schmitta może być traktowany jako ujemna rezystancja uzależniona prądowo popularnie nazywana ujemną rezystancją typu S. Powstanie ujemnej rezystancji jest wynikiem istnienia wewnatrz układu dwóch tranzystorów składowych pnp oraz npn, połączonych w pętli dodatniego sprzężenia zwrotnego. Analizując charakterystykę (patrz. rys.) zauważamy, że realizując punkt pracy przy użyciu obciążenia o małej rezystancji R`, otrzymujemy trzy rozwiązania, P, Q oraz S i układ niestabilny. Tylko w przypadku dużej rezystancji obciążenia R`` jest możliwe jednoznaczne określenie punktu pracy. Układ jest więc stabilny rozwarciowo.

Szukasz gotowej pracy ?

To pewna droga do poważnych kłopotów.

Plagiat jest przestępstwem !

Nie ryzykuj ! Nie warto !

Powierz swoje sprawy profesjonalistom.

0x01 graphic



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
praca-magisterska-wa-c-7459, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7525, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7468, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7499, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7474, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7486, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7565, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7520, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-8169, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7507, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7446, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7839, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-8167, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7894, Dokumenty(2)
praca-magisterska-wa-c-7476, Dokumenty(2)

więcej podobnych podstron