BADANIE TRANZYSTOROWYCH STOPNI, Elektronika


POLITECHNIKA LUBELSKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

ĆWICZENIE NR 3

TEMAT:BADANIE TRANZYSTOROWYCH STOPNI

WZMACNIAJĄCYCH.

GRUPA DZIEKAŃSKA 6.2

ZESPÓŁ 4. WYKONALI:

KĘSKA ARKADIUSZ

KORNELUK DARIUSZ

HUSAREK JACEK

LUBLIN 13.03.1996

1. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK DYNAMICZNYCH

(UWY=f(UWE) przy f=const.) Dla tranzystorów w

układach pracy WB, WE.

a).Pomiary wykanywaliśmy w układzie jak na rys.1.

0x01 graphic

b). Wyniki pomiarów przedstawione są w tabelach 1 i 2.

Tab.1. Układ WE.

Uwe

[V]

0.1

0.15

0.2

0.25

0.35

0.45

0.55

0.65

0.85

0.95

Uwy

[V]

0.23

0.34

0.46

0.57

0.8

1.02

1.23

1.44

1.8

1.96

c). Na podstawie pomiarów wykreślono charakterystyki dynamiczne wzmacniaczy i obliczono wartość współczynnika wzmocnienia napięciowego Ku.

2. WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK

CZĘSTOTLIWOŚCIOWYCH (KU=f(f) przy UWE=const.) Dla

tranzystorów w układach pracy WB, WE.

a). Pomiary przeprowadzaliśmy w układzie jak na rys.1.

b). Wyniki pomiarów przedstawione są w tabelach 3-5.

Tab.3. Układ WE (Uwe=0,5V).

c). Na podstawie pomiarów wykreślono charakterystyki

częstotliwościowe wzmacniaczy WB, WC, WE.

Pasmo przenoszenia wzmacniacza w układzie:

-WB ≈ 310kHz,

-WC - nie udało się wyznaczyć górnej częśtotliwości granicznej,

-WE ≈ 110kHz

3.WYZNACZANIE REZYSTANCJI WEJŚCIOWEJ I WYJŚCIOWEJ

Dla tranzystorów w układach pracy WB, wc, WE.

a). Pomiaru rezystancji wejściowej dokonujemy w układzie jak na rys.2.

0x01 graphic

b). Wyniki pomiarów przedstawia tabela 6.

Tab.6.

WE

WB

WC

Ugen

[V]

0,036

0,018

0,009

0,014

0,53

1,06

Uwy

[V]

1

0,5

1

1,5

0,5

1

Rd

[Ω]

2800

2900

620

630

15000

15000

Rwe

[Ω]

2800

2900

620

630

15000

15000

c). Pomiaru rezystancji wyjściowej dokonujemy w układzie jak na rys.3.

0x01 graphic

d). Wyniki pomiarów przedstawia tabela 7.

Tab.7.

WE

WB

WC

Ugen

[V]

0,037

0,084

0,014

0,02

1,06

1,57

U''wy

[V]

0,5

0,99

0,75

0,99

0,5

0,75

Rd

[Ω]

1110

1100

1200

1210

150

160

Rwy

[Ω]

1110

1100

1200

1210

150

160

4. WNIOSKI.

Podczas ćwiczenia badaliśmy podstawowe parametry opisujące pracę wzmacniaczy tranzystorowych w trzech postawowych układach pracy. Pomiary potwierdziły teoretyczne parametry wzmacniaczy, a także pozwoliły zapoznać się z metodami wykreślania dwóch podstawowych charakterystyk każdego wzmacniacza (dynamicznej i częstotliwościowej), oraz określać takie parametry jak: wzmocnienie napięciowe, pasmo przenoszenia, rezystancję wyjściową i wejściową.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających - Pelc, Elektronika
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v3, Politechnika Lubelska, Elektrotechnika inż, ROK 3,
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v2
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających v4, Politechnika Lubelska
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 3, Politechnika Lubelska
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPR EL. 3 HJ
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających
badanie tranzystorowych stopni wzmacniajacych
Ćw.3 -Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających, SPRAWOZDANIA czyjeś
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 2, Politechnika Lubelska
Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających 1, Politechnika Lubelska
Ćw 3 Badanie tranzystorowych stopni wzmacniających
badanie tranzystorowych stopni wzmacniajacych
Badanie tranzystora bipolarnego, Zespół Szkół Elektrycznych nr 1 w Poznaniu
Badanie tranzystora, Akademia Morska -materiały mechaniczne, szkoła, Mega Szkoła, szkola, ELEKTRA

więcej podobnych podstron