234 235

234

Poniżej opisane są kolejno: - rozkazy przesyłania

-    rozkazy arytmetyczna

-    rozkazy logiczne

-    rozkazy skoku

-    rozkazy operacji na stosie

-    rozkazy we jścia/wyjścia i sterujące

ROZKAZ! PRZESYŁANIA

MO! r1, r2

MO! r, M

MO! M, r

M!I r, data

M!I M, data

Prześlij rejestr (Move register)

(r1) — (r2)

Do rejestru r1 wpisz zawartość rejestru r2.

01DDDSSS

cykli: 1 stanów: 5 wsk: żaden

Prześlij z pamięci (Move from memory)

(r)~((H)(Ł))

Do rejestru r wpisz zawartość komórki pamięci o adresie zawartym w rejestrach H i L.

01DDD110

cykli: 2 stanów: 7 wskaźniki: żaden Prześlij do pamięci Cl/Iove to memory)

((H)(L)) — (r)

Do komórki pamięci o adresie zawartym w rejestrach H i L wpisz zawartość rejestru r.

01 1 1 osss

cykli: 2 stanów: 7 wsk: żaden

Prześlij drugi bajt (Kove immediate)

(r) — (bajt 2)

Do rejestru r wpisz drugi bajt rozkazu.

00DDD110 bajt 2

cykli: 2 stanów: 7 wsk: żaden

Prześlij do pamięci drugi bajt (Move to memory immediate)

((H)(L)) — (bajt 2)

Do komórki pamięci 9 adresie zawartym w rejestrach H i L wpisz drugi bajt rozkazu.

00110110 bajt 2

cykli: 3 stanów: 10 wsk: żaden

1X1 rp,data 16 Wpisz do pary rejestrów drugi i trzeci bajt -(Load register pair immediate)

(rh) —(bajt3); (rl) —(bajt2)

Do rejestru starszego rh wpisz trzeci bajt rozkazu, a do rejestru młodszego rl drugi bajt rozkazu.

IDA addr

STA addr

IHID addr

SHID addr

008P0001    ■ ' •    «=> '

bajt2

bajt 5

cykli: 5 stanów: 10 wsk: żaden

Wpisz do akumulatora bezpośrednio (Load Acoumulator direct) (a)— ((bajt 3)(bajt 2))

Do akumulatora wpisz zawartość komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu

0.0 111010 bajt2 bajt3

cykli: 4    stanów: 13    wsk: żaden

Zapamiętaj akumulator bezpośrednio (Storę Accumulator direct)

((bajt3)(bajt2)) — (A)

Do komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu wpisz zawartość akumulatora.

00110010 ba jt2 ba jt3

cykli: 4    stanów: 13    wsk: żaden

Wpisz do H i L bezpośrednio (Load H and L direct)

(L)—((bajt3)(bajt2))

(H)—((bajt3)(bajt2) + 1)

Do rejestru L wpisz zawartość komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu; do rejestru E wpisz zawartość następnej komórki pamięci.

00101010 ba jt2 bajt3

cykli: 5 stanów: 16 wsk: żaden

Zapamiętaj H i L bezpośrednio (Stora H and L direct) ((bajt3)(bajt2)) — (L)

«bajt3)(bajt2)) + 1) —(H)

Do komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu oraz do komórki o adresie zwiększonym o jedność, wpisz zawartość rejestrów L i H.

00100010 ba jt2 ba jt3

cykli: 5 stanów: 16 wsk: żaden