234
Poniżej opisane są kolejno i - rozkazy przesyłania
- rozkazy arytmetyczne
- rozkazy logiczne
- rozkazy skoku
- rozkazy operacji na stosie
- rozkazy wejścia/wyjścia i sterujące
ROZKAZ! PRZESYŁANIA
MOV r1, r2 Prześlij rejestr (Move register)
Do rejestru rl wpisz zawartość rejestru r2.
01DDDSSS
cykli: 1 stanów: 3 wsk: żaden MOV r, M Prześlij z pamięci (Move from memory)
(r) —((H)(D)
Do rejestru r wpisz zawartość komórki pamięci o adresie zawartym w rejestrach H i L.
01DDD110
cykli: 2 stanów: 7 wskaźniki: żaden MOV M, r Prześlij do pamięci O»ove to memory)
((H)( L)) — (r)
Do komórki pamięci o adresie zawartym w rejestrach H i L wpisz zawartość rejestru r.
01 1 1 OSSS
cykli: 2 stanów: 7 wsk: żaden MVI r, data Prześlij drugi bajt (Kove immediate)
(r) —(bajt 2)
Do rejestru r wpisz drugi bajt rozkazu.
00DDD110 bajt 2
cykli: 2 stanów: 7 wsk: żaden
MVI M, data Prześlij do pamięci drugi bajt (Move to memory immediate)
((H)(L)) — (bajt 2)
Do komórki pamięci 9 adresie zawartym w rejestrach H i L wpisz drugi bajt rozkazu.
00110110 bajt 2
cykli: 3 stanów: 10 wsk: żaden
1X1 rp,data 16 ®'pisz do pary rejestrów drugi i trzeci bajt -(Load register pair immediate)
(rh) — (bajt3); (rl)~(bajt2)
Do rejestru starszego rh wpisz trzeci bajt rozkazu, a do rejestru młodszego rl drugi bajt rozkazu.
ISA addr
STA addr
mis addr
SHIS addr
■t- - O O R ? O O O 1 1 - • O '
bajt2
bajt3
cykli: 3 stanów: 10 wsk: żaden
Wpisz do akumulatora bezpośrednio (Load Acoumulator direct) (a)—((bajt 3)(bajt 2))
Do akumulatora wpisz zawartość komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu
00 111010 bajt2 bajt3
cykli: 4 stanów: 13 wsk: żaden
Zapamiętaj akumulator bezpośrednio (Storę Acoumulator direct)
((bajt3)(bajt2)) — (A)
Do komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu wpisz zawartość akumulatora.
00110010 ba jt2 ba jt3
cykli: 4 ■ stanów: 13 wsk: żaden
Wpisz do H i L bezpośrednio (Load H and L direct)
(L)—((bajt3)(bajt2))
(H) —((bajt3)(bajt2) + 1)
Do rejestru L wpisz zawartość komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu; do rejestru K wpisz zawartość następnej komórki pamięci.
001010 10 ba jt2 bajt3
cykli: 5 stanów: 16 wsk: żaden
Zapamiętaj Bil bezpośrednio (Storę H and L direct) ((bajt3)(bajt2)) — (L)
«bajt3)(bajt2)) t 1) —(H)
Do komórki pamięci o adresie zawartym w drugim i trzecim bajcie rozkazu oraz do komórki o adresie zwiększonym o jedność, wpisz zawartość rejestrów L i H.
00100010 bajt2 ba jt3
cykli: 5 stanów: 16 wsk: żaden