CCI20110406004

T_s    T;

Rys. 1.6 Zależność nj=f(1/T)

Wykres powyżej (Rys. 1.6) pokazuje zachowanie się koncentracji nośników w zależności od temperatury. Zakres:

1    - przypada na zakres generacji samoistnej nośników

2    - jest to obszar nośników domieszkowanych

3    - jest obszarem jonizacji domieszek

Złącze p-n

Złączem p-n nazywamy styk obszarów o różnym typie przewodnictwa wytworzony w obrębie tego samego materiału półprzewodnikowego. Złącze takie otrzymuje się przez odpowiednie rozmieszczenie domieszek. Domieszki powodują powstanie dodatkowych poziomów energetycznych w strukturze pasmowej, zwykle w przerwie wzbronionej między pasmem podstawowym i pasmem przewodnictwa.

W obszarze domieszkowanym akceptorami, zwanym obszarem typu p koncentracja swobodnych dziur przewyższa koncentrację elektronów. W materiale donorowym (typ n) koncentracja elektronów przewyższa koncentrację dziur. Na granic\ obszarów n i p powstaje dipolowa warstwa ładunku przestrzennego zwana warstwę zubożoną lub warstwą zaporową. Siły elektrostatyczne wytwarzane przez ładunki jonóv utrudniają dalszy ruch dyfuzyjny nośników większościowych, natomiast na nośnik mniejszościowe powstałe pole elektryczne działa przyśpieszająco. Przez złącze płynę przeciwnie skierowane prądy dyfuzji i prądy unoszenia dziur i elektronów.