ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 118 119

118 EUktropika.Zbiór zadań

P * /fll/os = 17,7 mW.

c. Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

g_m - 4,2 mS .

f. Szkic schematu zastępczego malosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.20.

5.1

Dla układu z Rys. 5.13.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p U_P=5 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijałnie mały, zaś tranzystor znajduje się w slanir nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

U,

GS

~^RS1^D * "Wi

S1'DSS

1--

U,

GS

Up

Z tego równania kwadratowego obliczamy U_GS i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia U_P

U GS

^u* -	VP	^Up A
Ps^DSS ,	^RSl^lDSS	^RSl^lDSS

2,93 V .

Zatem

źo^=:'fź_£j_S//ł_ij_/=-l,72 mA.

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Uds⁼ Udo-Ws, ^{+ R}S2 ⁺ *d) ~ ^ss ⁼ 21,8 V.

c.    Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Ugd~Ugs~Uds⁼24,7 V > U_p.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - 1_DV_DS - 37,5 mW.

e.    Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

8m ‘ i-^{66 mS} •

f.    Szkic schematu zastępczego malosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.20.

5.1 Dla układu z Rys. 5.14.

a.    Napięcie tworzenia kanału jest dodatnie dla tranzystora z MOS kanałem typu n U_T=5 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijałnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanic nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

—l—l)_DD ■ U_as * R_s,1_d ■ U_CfS +R_siJL(U_gs-U_Tf .

^K\ "2    t/‘

Z tego równania kwadratowego obliczamy U_GS i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie większe od napięcia U_T

GS

	[2^-1]
	^UT	0}

RsK-

Rj ⁺^2

-U

DD

' U_T

■ U_P = 3,39V .

Prąd drenu I_D obliczmy ze wzoru

R_l+R₂

-Udd~Ugs

4,8mA .

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Vds=U_dd-I_d{R_s+R^1,9A V.

c.    Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Ugd⁼Ugs~U_ds= ^—4|55 V < Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - 1qUds * 38 mW.

e.    Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

d/D	d	K	U GS ,	2	.2^K	U GS ,
dUcs	d^GS		Ut		Ut	UT

= 6,8 mS .

f. Szkic schematu zastępczego malosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

Ponieważ (/_fts= 10 V wiec tranzystor będzie w zakresie nasycenia. W zakresie tym obowiązuje równanie (5.1) charakterystyki przejściowej z którego obliczamy U_cs

U as - Ur

TL warunku na punkt pracy

*S ⁺

1-

•DSS

UdD ^_ UDS

-1,5 V .

2k0 .

Przyjmujemy R_D=R_s=l ki). Obliczamy napięcie bramki

U_c - IoR_s * Ucs - 3,5V .

Przyjmujemy prąd dzielnika w obwodzie bramki /_s= 1 /rA. Zatem