ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 112 113

112 EUktromka.Zbi6r nadań

^ur    _₄ j _ ^Ri(UpD~Uss)

^Rs^loss ^ks^jdss    (^ri *^rt)^rs^dss

U_P - -0,24 V .

(drugi pierwiastek -4,16V). Prąd I_D obliczamy z równania

- 7,74 mA .

Z obwodu drenu i źródła obliczamy

^uds= U_DD-W*_S +*o)-Uss^W V-

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

UcD^os-^DS=-^^<Up-

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione,

d. Obliczamy moc

P - I_DU_DS = 35 mW.

e. Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

g_m = 8,8mS .

f. Szkic schematu zastępczego malosygnałowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

5.1 Dla układu z Rys. 5.6.

a.    Napięcie odcięcia jest ujemne dla tranzystora z kanałem typu n Up--2 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanic nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła mają praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

2

Z tego równania obliczamy U_as

^rS\^!dss ^rs\¹dss

U_F Up

2

Up - -0,593 V .

Zatem

/_D= —(/oj/R^-4,94 mA.

Na podstawie obwodu drenu i źródła

"os- Udd- Wi+%⁺^d)=4,23 v.

C. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Ugd~Vgs~Vds~ 6,2 < Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - Wm - 21 mW.

e.    Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

im * ^7mS •

f.    Szkic schematu zastępczego małosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.20.

G    D

Ry». 5.20. Małosygnałowy schemat zastępczy układów z Rys. 5.6, Rys. 5.7, Rys. 5.12

5.1

Dla układu z Rys. 5.7.

a.    Napięcie odcięcia jest ujemne dla tranzystora z kanałem typu n U_P= —5 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości. Na podstawie schematu można zapisać

^ugs ” ~^ksi^!d “ ~^ks\¹dss Z tego równania obliczamy

1--

U,

GS

U,

GS

7. ^vr _	UP	^ -^4l	11- =
_ Rs^dss	^RSl^lDSS	^rs\^!dss
2 ^r

tp— Ugs^si ^—6,94 mA.

Zatem

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Uds= Udd-'d(*si +*S2+*_D)-<^=7.93 V.

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora