ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 116 117

116 Elektronika. Zbiór zadań

2^Idss^ks

U_P - 2,28 V .

Prąd drenu obliczamy z równania

Na podstawie obwodu drenu i źródła

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

tfGD=^GS-tf£W=12,5 V > Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione,

d. Moc obliczamy ze wzoru

P - IdUus - 16,3 mW.

e. Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

g_m * 1,1 mS .

f. Szkic schematu zastępczego malosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

5.1 Dla układu z Rys. 5.11.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p Up-2 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje sie w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła mają praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

Z tego równania kwadratowego obliczamy U^ i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia U_r

Up • 0,24V .

j^DSS^S j ^^uss~^udd ^r2 Up    Up    Up r^r₂

Prąd drenu obliczamy z równania

u,

GS

b * --

6. Tranzystor unipolarny

117

^R\*^Ri

(Uss~ Udd>

-7,74 mA .

Na podstawie obwodu drenu i źródła

-^g-^{62 v}-

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Ugd~Ugs~Uds~%>%6 V ^> Up-

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - IjjUjys - 67 mW.

e.    Transkonduktancje g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

g_m « 8,8 mS .

f.    Szkic schematu zastępczego malosygnałowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

5.1

Dla układu z Rys. 5.12.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p U_P=2 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

U,

cs

~^Rsib ⁼ ~^rsi¹dss

1-

V,

CS

U_P

Z tego równania kwadratowego obliczamy U^ i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia U_p

2*.

U_P

GS

^Rsibss

Up	^u” J
^rsi^idss	^Rsibss

-U_P - 1,17V .

Zatem

/_D—1.72 mA.

Na podstawie obwodu drenu i źródła

U_DS=U_DD-1_D(R_SI+^RS2+R_D) = -10,29 V.

c.    Sprawdzamy zakres pracy tranzystora    _r -

Ucd~ Ucs~ Uds~ 11 .^6 V > U_p.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru