ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 116 117

116 Elektronika. Zbiór zadań

u,

GS

₂W^s

Vp

, ^ ^1dss^rs	, _ Udd r2
	Up rx*r2

, ⁱdss^rs

■ Up » 2,28 V .

U.

Prąd drenu obliczamy z równania

U,

GS'

Rj +^2

-u.

DD

-l,48mA .

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Vds=VddM^rs^+rd>=-U V.

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Ugd~ Ugs~ Uds~ 12,5 V > Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - /_Dl/_Dj - 16,3 mW.

e.    Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

g_m - 1,1 mS .

f.    Szkic schematu zastępczego malosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

5.1 Dla układu z Rys. 5.11.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p U_P-2 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijałnie mały, zaś tranzystor znajduje sie w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła mają praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

^ugs* _D - (~Udd*Uss) * ~^rs¹d * ~^rsⁱdss

1--

u,

GS

Up

Z tego równania kwadratowego obliczamy U_GS i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia U_P

U GS

~^,DSS^RS

V,

♦ 1-

1^ Ws	j „ USS-UDD R2
Up	Up

7 ^,dss^rs Up

Up

0,24 V .

Prąd drenu obliczamy z równania

5.1

ó. Tranzystor unipolarny

117

^vcs*-^-^-^ss~^ijdd)

h * -—s- ” "7,74 mA .

^RS

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Uos= V_dd-I_d(R_s+R^~    -8,62 V.

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

I/ijj—8,86 V > Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - IpUos - 67 mW.

e.    Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

Sm " 8,8 ^mS •

f.    Szkic schematu zastępczego malosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.19.

Dla układu z Rys. 5.12.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p U_P=2 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

U,

GS

-R',I

SrD

~^RSl^lDSS

1--

U.

CS

Up

Z tego równania kwadratowego obliczamy U_GS i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia U_P

2*.

U_P

'GS

spdss

Up	Up ^F +4
^RSl^lDSS	^RS1^IDSS

-U_F - 1,17V .

Zatem

1_D—U_CS/R_S]—1,72 mA.

Na podstawie obwodu drenu i źródła

Uds⁼Udd'ⁱdⁱ~^rsi^+rs2~*~^rd) ^{= —}10.29 V.

c.    Sprawdzamy zakres pracy tranzystora    ,    -

U(}£) — Ucs~U_DS=l 1 ’4Ć> V> Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru