ELEKTRONIKA zbiór zadań cz 1 przyrządy półprzewodnikowe str 114 115

114 Elthronika-Zbiór zadań

Uqq~ U GS UdS~ 8,76 < Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione,

d. Moc obliczamy ze wzoru

P » I_DU_DS » 55 mW.

c. Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

8_m “ 3,3 mS .

f. Szkic schematu zastępczego małosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.20.

5.1

Dla układu z Rys. 5.8.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p Up=5 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

U GS “ ~RsJd “ ~R^DSS

1--

u,

GS

U_T

Z tego równania kwadratowego obliczamy U_Gs i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia Up

2*.

U,

GS

^KS^lDSS

Up	Up
^RS^fDSS	R^dss

-Up

l,9V

(odrzucamy drugi pierwiastek 13, IV). Zatem

Id⁼~U_cs/R_s=- 1,9 mA.

Na podstawie obwodu drenu i źródła

U_DS=U_DD-l_D(R_s+R^=-26,2 V.

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

t^/GD=^GS-^iw=28,l V > Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione.

d.    Moc obliczamy ze wzoru

P - I_DU_ay = 50 mW.

e.    Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

8m “ ¹-^{24 m}S.

f.    Szkic schematu zastępczego małosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5.18.

5.1 Dla układu z Rys. 5.9.

a. Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p Up=2 V.

b. Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła maja praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

Ucs*U_ss ~ ~^s^D

~^rs¹dss

^ugs

U_r

-1

2

Z tego równania kwadratowego obliczamy i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia Up

GS

₀ ⁱdssPs^i

~~uT

_4 dss^s (/_dssr_s . jj_ss)

u\

, ^lDS^S

Up

Up - ov .

Prąd drenu obliczamy ze wzoru

Uss~Ugs

-5mA .

Na podstawie obwodu drenu i źródła

^ds~U_DG-I_D(R_S⁺*o) ^ss~ V.

c. Sprawdzamy zakres pracy tranzystora

Vgd=Vgs-Uds=U,(> V > Up.

Zatem tranzystor pracuje w zakresie nasycenia—użycie równania (5.1) jest uzasadnione,

d. Moc obliczamy ze wzoru

P - IpUps - 58 mW.

e. Transkonduktancję g_m obliczamy z definicji, wzór (5.2):

Sm “ 5 mS.

f. Szkic schematu zastępczego małosygnalowego jest przedstawiony na Rys. 5,18.

5.1

Dla układu z Rys. 5.10.

a.    Napięcie odcięcia jest dodatnie dla tranzystora z kanałem typu p U_P=5 V.

b.    Zakładamy iż prąd bramki jest pomijalnie mały, zaś tranzystor znajduje się w stanie nasycenia. Zatem prąd drenu i źródła mają praktycznie takie same wartości, oraz na podstawie schematu można zapisać

U,

GS

R,+/f₂

(~U_DD)

~^rs¹d

~^rs^,dss

1--

u,

GS

U_P

Z tego równania kwadratowego obliczamy U_GS i wybieramy spośród dwóch pierwiastków równania napięcie mniejsze od napięcia Up