Image022

—    wykonanie połączeń między metalicznymi stykami struktury a zewnętrznymi wyprowadzeniami obudowy,

—    zamknięcie w obudowie.

Powszechnie stosowaną metodą dzielenia płytek jest rysowanie na nich nożem diamentowym, a następnie łamanie płytek na poszczególne struktury. Następnie struktury są mocowane do podłoża, którym jest przeważnie pasek montażowy (tzw. ażur), za pomocą szkliwa lub żywicy epoksydowej. Ażury paskowe są to metalowe taśmy z wyprowadzeniami dla poszczególnych układów scalonych (rys. 1.17).

Połączenia elektryczne między metalicznymi stykami struktury a zewnętrznymi wyprowadzeniami obudowy są najczęściej wykonane za pomocą cienkich drutów aluminiowych lub złotych o średnicy od kilku do kilkudziesięciu pm.

Rys. 1.17. Ażur paskowy i układ scalony w obudowie DIL

Najczęściej stosowanym typem obudowy układów scalonych jest plastykowa obudowa typu DIL (ang. Dual-ln-Line) — rys. 1.17.

Koszt montażu indywidualnych struktur układowych w obudowach i wykonanie doprowadzeń drutowych ma największy udział w kosztach wytwarzania układów scalonych. Wynika to z tego, że wszystkie operacje poprzedzające montaż były wykonywane na wielu elementach jednocześnie, natomiast operacje montażu wykonuje się na pojedynczych strukturach. Uzysk układów po wykonaniu wspólnych, dla wszystkich struktur na płytce, operacji technologicznych jest bardzo duży. Największy odpad układów powstaje podczas cięcia płytki na struktury. Dlatego dąży się do zwiększenia skali integracji, bowiem im więcej układów jest łączonych za pomocą prostego zabiegu naparowania aluminiowych połączeń, tym niższy jest koszt przypadający na jeden element wytwarzanego układu.

1.3.2. Porównanie typowej technologii bipolarnej z typową technologią unipolarną

Podstawową zaletą układów scalonych MOS jest to, że mogą one być wykonane wyłącznie z tranzystorów MOS, spełniających wszystkie wymagane elementarne funkcje układowe. Funkcje rezystorów mogą spełniać tranzystory, a funkcje kondensatorów: pojemności złącza bramka — kanał lub pojemności złączy źródło—podłoże oraz dren — podłoże. Proces wytwarzania układu scalonego MOS jest taki sam, jak dla tranzystora MOS. Wykonanie tranzystora MOS

32