wyliczyć z równania:
“^smax t
ll
Wynosi ona około 1 kQ.
Typowy obwód wejściowy przy wykorzystaniu układu 132 do formowania przebiegu prostokątnego z sinusoidalnego przedstawiono na rys. 4.650. Dzielnik Rz, Rz powinien ustalać poziom wejściowy napięcia stałego przerzutnika
Rys. 4.650. Formowanie przebiegu prostokątnego z sinusoidalnego
a) układ wejściowy, b) przebiegi napięć
Schmitta na wartość U1 równą:
Otrzymuje się wówczas przebieg prostokątny o wypełnieniu 1/2, ale U1 = = (I1+I2)R„ więc:
\Ucc-Ui , Ucc-Ui-Ube]
L “^2 -^1 J
stąd
Zakładając wartość R3 równą około 400 Q, oraz podstawiając wymaganą wartość U1 i R1 możemy wyliczyć wartość rezystancji Rz.
Wartość reaktancji pojemności C przy zadanej częstotliwości przebiegu sinusoidalnego powinna być dużo mniejsza niż R2R2/(R2+Rz).
Schemat logiczny układu formującego z tranzystorowym stopniem wejściowym przedstawiono na rys. 4.651. Załóżmy, że napięcie na wejściu narasta od zera w kierunku napięć dodatnich. Prąd wejściowy płynie przez rezystory Ru R2 oraz diodę D (napięcie wyjściowe układu scalonego wynosi ~ 0 V). Jeżeli napięcie wejściowe osiągnie wartość wystarczającą do wysterowania tranzystora Tl, to jego napięcie kolektor-emiter zmniejsza się, powodując przełączenie układu wyjściowego w stan 1 (zmniejszenie prądu w obwodzie D, Rz zwiększa szybkość przełącz ania układu). Dalsze zwiększenie napięcia wejściowego nie po-