Image518

Układy translatorów sygnałów MOS/TTL i TTL/MOS

Układy translatorów sygnałów TTL/MOS

W pamięciach MOS-LSI — np. rozpowszechnionych pamięciach dynamicznych 1103, 1103-A (1024X1 bitów) — wymagane są translatory poziomów napięć TTL/MOS od strony wejścia i MOS/TTL — od strony wyjścia (rys. 4.662).

dss ^U6G UDD

We adresowe    pamięć typu 1103-A/układy TTL

Podstawowe parametry statyczne pamięci 1103-A przedstawiono w tablicy 4.47.

Przy łączeniu układów pamięci w bloki o większej pojemności — linie adresowe, linie sygnałów wybierających (CE) oraz sterowania zapisem/odczytem {R/W) doprowadzane są do wielu wyprowadzeń układów pamięci. Linie sygnałów wejściowych w układach pamięci o większej pojemności wnoszą więc znaczne obciążenie pojemnościowe.

Dla przykładu, rozważmy pamięć o pojemności 4096 słów 16-bitowych, składającą się z układów pamięci typu 1103-A (rys. 4.663). W najbardziej niekorzystnym przypadku pojemności wejściowe będą przyjmowały następujące wartości:

—    każda    z    10 linii adresowych    —    64X12 pF — 768 pF,

—    każda    z    4 linii CE    —    16X28 pF = 448 pF,

—    każda    z    4 linii R/W    —    16X19,5 pF = 312 pF,

—    każda    z    16 linii informacji    wejściowej —    4X7,5 pF = 30 pF.

Do tych pojemności należy dodać pojemności montażu.

Prąd ładowania i rozładowania pojemności C_L wymagany do zmiany napięcia o wartość A U w czasie At można wyliczyć z zależności:

c_lau

~ At

Jeżeli C_L wyrazimy w pF, U — w woltach i t w nanosekundach, wówczas otrzymamy wartość prądu w miliamperach.