Image526

Układy translatorów sygnałów MOS/TTL

Wyjścia układów MOS różnią się między sobą w zależności od technologii wykonania. Można wyróżnić cztery podstawowe typy wyjść:

—    otwarty dren,

—    wyjście z rezystorem dołączonym do napięcia zasilającego,

—    wyjście przeciwsobne,

—    wyjście trójstanowe.

Układ wyjściowy typu „otwarty dren” jest prostym kluczem prądowym. W stanie zatkania rezystancja tranzystora wyjściowego jest bardzo duża, natomiast w stanie przewodzenia tranzystora — rezystancja przyjmuje wartość poniżej 1 k£2. Tego rodzaju wyjściem charakteryzują się np. dynamiczne pamięci typu 1103 i 1103A. Do wyjścia pamięci dołącza się rezystor o wartości około 100 -h 1000 Q. Im mniejsza wartość rezystancji, tym mniej pogarszają się parametry dynamiczne sygnału wyjściowego, ale poziom napięciowy sygnału jest niewielki. Przykładowo, dla R₀ = 100 Q poziom napięcia w stanie wysokim wynosi 180 mV (wartość typowa). Aby taki poziom napięcia odczytać w sposób prawidłowy, należy zastosować układ o dużej czułości i dużej odporności na zakłócenia, najlepiej z wejściem różnicowym.

Rys. 4.673. Układ odczytu informacji z pamięci zbudowany w oparciu

a) zbudowane z bramki TTL-L, b) zbudowane z elementów dyskretnych

Rys. 4.674. Wzmacniacze odczytu

o układ 75110

Najlepszym rozwiązaniem jest zastosowanie układu 75110. Schemat ideowy układu odczytu z zastosowaniem układu 75110 przedstawiono na rys. 4.673. Dodatkową zaletą układu jest możliwość strobowania sygnału wyjściowego, ca ułatwia odczytywanie informacji wyjściowej.

Sygnał wyjściowy z pamięci może być również odczytany przez układy, których schematy ideowe przedstawiono na rys. 4.674, ale otrzymuje się wówczas dużo gorsze parametry dynamiczne sygnału wyjściowego.

Na rysunku 4.675 przedstawiono uniwersalne układy translatorów MOS/TTL, umożliwiające współpracę z układami TTL dla ujemnych poziomów napięć sygnałów wejściowych (rys. 4.675a) i dodatnich poziomów napięć sygnałów wejściowych (rys. 4.675b). Wartości dzielników R_u R₂ wylicza się biorąc pod uwagę:

—    żądany próg przełączenia tranzystora T,

—    wartość napięcia zasilania i rezystancję wyjściową układu MOS.