Image519

Image519



Parametry styczne pamięci 1103-A

tamb = 0+ 55°C, Uss « 19 V±5%; (U^“U5S) - 3-MV, UDi> = 0 V)

Tablica 4.47

Parametr

Sym

bol

Warunki pomiaru

min. typ. max.

Prąd wejściowy (wszystkie wejścia) [(tAj

hh

Ut = 0 V

10

Wyjściowy prąd upływu [pA]

foL

U0 = 0 V

10

Prąd zasilania (z UBb) [pA]

Ibb

100

Prąd zasilania (przy sygnale CE) [mA]

Iddi

CE = 0 V tamb ~ 25°C

6 11

Prąd zasilania (podczas wyłączenia sygnału CE) [mA]

^DD2

CE = Uss tamb ~ 25°C

o

o

o

In

Średni prąd zasilania A]

Iddav

Czas cyklu = 340 ns tmb = 25°C

17 22

Niski poziom napięcia wejściowego [V]

U,L

Udd1 Ł/djd + 1

Wysoki poziom napięcia wejściowego

M

U, H

Uss1 t/ss+1

Wysoki poziom prądu wyjściowego D*A]

toHl

tamb = 25°C

a

8

1

oc

1150 1300 700

Wysoki poziom prądu wyjściowego

[ulA]

loH 2

tamb = S5°C

900 1150 7000

Wysoki poziom napięcia wyjściowego [mV]

U OH 1

U = 25°C

115 130 700

Wysoki poziom napięcia wyjściowego [mV]

UoB2

tamb = 55°C

90 115 700

Niski poziom napięcia wyjściowego

U0L

łoi. Ro

CE— sygnał zezwalający na zapis/odczyt

Przy założeniu czasu narastania i opadania At — 20 ns, zmianie poziomu napięcia AC/ = 16 V, linia CE wymaga średnio prądu o wartości 358 mA podczas wymaganej zmiany napięcia. Układ sterujący powinien zatem dostarczać wymaganej wartości prądu.

Podczas rozładowania pojemności, moc tracona jest we wzmacniaczu. Jeżeli pojemność CL jest początkowo ładowana do napięcia U i następnie rozładowywana z częstotliwością /, to minimalna wartość prądu I płynącego ze źródła zasilania wzmacniacza będzie wynosiła I — fCLU.

Jeżeli napięcie zasilania wzmacniacza będzie wynosiło U, wówczas moc rozpraszana we wzmacniaczu będzie wynosiła P = f CL U%. Straty mocy w końcowym stopniu wzmacniacza sterującego wejściem CE w pamięci o organizacji 4kXl6 przy U = 16 V, CL = 400pF i F = 1,6MHz wyniosą około 170mW. Te straty mocy należy doliczyć do pozostałych strat mocy we wzmacniaczu.

Na rysunku 4.664 przedstawiono najprostsze układy translatorów sygnałów TTL/MOS. IJkład ten jest w stanie sterować małym obciążeniem o charakterze


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Z głębokim żalem zawiadamiamy, że w dniu 23 stycznia 2021 r. zmarł przeżywszy 55 U SP.Józef
6 (261) ARENY Tworzenie wiązań a w benzenie C=C 1,34 A C-C 1,55 A C„-C„ 1,39 A Tworzenie wiązań
324 19. STYCZNIKI WYSOKIEGO NAPIĘCIA Tablica 19.1. Podstawowe parametry styczników typu H produkowan
Parametry użytkowe pamięci: •    pojemność •    szybkość
18401 Slajd27 (102) Program konfiguracyjny SETUP umożliwia zmianę parametrów zawartych w pamięci CMO
DSC00190 Parametry procesu: •    temperatura austenityzacji 820 * 950 °C, •
DSC03 (2) Bil 12EA59r PA FAL A 20 21 GRUPA APATOR + - 1 _ 230 V 0,25-5(60) A 50 Hz KI A -25 do 55 °
WA308Y0 II10105 POCZATKI SZTUKI249 I djvu 245 a zakomunikowane mu przez Niemca, który je umiał na p
324 19. STYCZNIKI WYSOKIEGO NAPIĘCIA Tablica 19.1. Podstawowe parametry styczników typu H produkowan
Testing. Li_ Cufve ai Parameter Sample TEMP:29.9 c Ratę; 0 00 °C/min Barometric; 99 00 kPa Stir; 30
WYŻSZE OPŁATY OD STYCZNIA Informacje JAROCIN Gazeta Jarocińska 51 (688) 19 grudnia 2003
DSC00219 14 PN-H-54231:2000 b r ■c b) przy wysokości h = 1,25 a według rysunku 14 i tablicy
ROK I.- Nr. 2MAŁE RAStr. 13 408,7 m 734 kc 18.55. Kom. litewski. 19.00. „Skrzynka pocztowa Nr. 224 o
384 (17) - 384 - zatem i(t) =» (55,3 ain(lOOOt + 0,19) - 10,9 e~1^00tj ^ SaŚ—i" (t) oraz oaplęc
EJ Odtwarzanie -Typ Parametry Operacie (* Zapis C~ Alarm Początek 116-10-2008 14:39:55
skanuj0014 (55) x(o/ot&! x.(olĄ>rff> 5(sL^c^c~cm<i ■.fefilcOMi P«iuadipfC do dxódu acu^

więcej podobnych podstron