PIC40

94

-    siarczek ołowiowy (PbS)

-    se lenek ołowiowy (SePb)

•    iclurck ołowiowy (TePb)

•    odpowiednio aktywowany german (Ge)

-    antymonck indowy (InSb)

-    siarczek kadmowy (CdS)

Oporniki fotockktryczne wykonywane z materiałów czułych w zakresie podczerwieni (PbS. PbTc. PbSe, Ge, InSb) są stosowane w technice jako detektory podczerwieni.

Do produkcji złącz p — n fotodiod wykorzystuje śf najczęściej selen, german, krzem, oraz arsenek galowy i telurek kadmowy.

Parametry techniczne oporników fotoclcktrycznych jako detektorów promieniowania:

-    temperatura detektora (T) - temperatura pracy warstwy półprzewodnika podlegająca oświetleniu

-    powierzchnia aktywnego obszaru detektora (S)

•    parametry elektryczne związane z punkiem pracy

fotoopomika    (dopuszczalne    napięcie między

końcówkami,    dopuszczalna    moc elektryczna

wydzielana na oporniku, prąd ciemny przy danym napięciu na zaciskach, napięcie punktu pracy)

-    czułość detektora (c) -napięciowa lub prądowa relacja między wielkością sygnału wyjściowego i wejściowego w danym przedziale pracy

literatura

Z. Bielecki, A. Rogalski, Detekcja sygnałów optycznych. WNT. Warszawa 2001

J. Biernat: Architektura komputerów. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, Wrocław 2002 A. Chwaleba. B. Moeschkc, G. Płoszajski: Elektronika. WSiP, Warszawa 2000

A.    Czerwińska, B. Sagnowska; Fizyka (dla szkól średnich). Wydawniclwo„ZAMlAST KOREPETYCJI”. Kraków 1999

W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone, WNT, Warszawa 1979

T. Majcwicz, ST. Paul; Podstawy elektrotechniki. PWSZ. Warszawa 1971

B.    Mroziewicz, M. Bugajski. W. Nakwaski; Lasery półprzewodnikowe. PWN, Warszawa 1985

B. Pióro. M. Pióro: Podstawy elektroniki - cłI i 2. WSiP. Warszawa 1997

T.    Ohly, Z. Rodziński: Elementy elektroniczne (skrypt do laborat.). PWr.. Wrocław

M. Rusek. J. Pasierbiński: Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach. WNT. Warszawa 1997

A.    Świt, J. Półtorak: Przyrządy półprzewodnika**. WNT

U.    Herze, Ch. Schenk; Układy półprzewodnikowe. WNT. Warszawa 1996

B. W. Wilanowski; Układy scalone. WKiŁ, Warszawa 1989