12181784�2924867422865r6283823 n

Sposób oceniania: Prawidłowa odpowiedz I pkt. błędna odpowiedz Opkt. Pytanie test zaliczone wtedy gdy wszystkie punkty afi.c. zavmw prawidłowo. Test wielokrotnego wyboru

I .Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody: a) Czochralskicgo b) CVD c) utlenianie termiczne

2.    Kontakt omowego do półprzewodnika t>pu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będąc:

Ciemniejsza b) większa c) taka sama

3.    W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest:

a) powierzchnia podłoża b) głębokość złącza c) suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

4.    W procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od: a) dozy jonów b) energii wiązki c) powierzchni podłoża

5.    W litografii stosuje się rczysty: a) pozytywowe b) negatywowe c) metaliczne

6.    Do półprzewodników elementarnych zaliczamy: a) krzem b) german c) cynk

7.    W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja:

a) dziur w paśmie walencyjnym b) dziur w paśmie przewodnictwa c)clcktronów w paśmie walencyjnym

8.    Kryształy objętościowe można wytwarzać: a) ze stopu b) metodą LPE c) z PECVD

9.    Hctcrocpitaksja to osadzanie warstwy' krzemu n3 podłożu: a) Si b)SiC c) SiGc

10.    Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wy twarzać metodami: a) AFM b)MOVPEc)MBE