ptw2

Sposób oceniania: Prawidłowa odpowiedz i pkt, błędna odpowiedz OpkL Pytanie Jest zaliczone wtedy gdy wszystkie punkty aj),c, zaznać' są prawidłowo. Test wielokrotnego wyboru

I.Do wytwarzania dielektryków stosujemy metody: a) Czochralskiego b) CVD c) utlenianie termiczne Z Kontakt omowego do półpiźcwodnika typu n powstanie jeżeli praca wyjścia z metalu w stosunku do pracy wyjścia z półprzewodnika będzie: (^mniejsza b) większa c) taka sama

3.    W procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest

a) powierzchnia podłoża b) głębokość złącza c) suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

4.    W procesie implantacji głębokość wnikania alomów domieszki zależy od: a) dozy jonów b) energii wiązki c) powierzchni podktta

5.    W litografii stosuje się rczysty: a) pozytywowe b) negatywowe c) metaliczne

6.    Do półprzewodników elementarnych zaliczamy: a) krzem b) german c) cynk

7.    W półprzewodniku typu p występuje duża koncentracja:

a) dziur w paśmie walencyjnym b) dziur w paśmie przewodnictwa c)elcktronów w paśmie walencyjnym

8.    Kryształy objętościowe można wytwarzać: a) ze stopu b) metodą LPE c) z PECVD

9.    Hctcroepitaksja to osadzanie warstwy krzemu na podłożu: a) Si b)SiC c) SiGc

10.    Warstwy epitaksjalne półprzewodników złożonych można wytwarzać metodami: a) AFM b) MOVPE c) MBE