142 5

S OCFEKTY SmUKTURY KRYSTALICZNEJ

(HO)iiTij. (iio)liJJi (lopinTj. (J Ol MN ii. (OU)[iijj (Oii)liTU (iJohuii. (i Ton 11 Tj. (wT)imi (iodiiuj. (0i7)imi. (oińiTiiJ

Płaszczyzn rodziny {112} jest dwanaście i w ka/dej / nich jest jeden

kierunek rodziny <//!>. zatem systemy są następujące

(112)1111). (121)1111). (211)11111 (112)1111). (121)1111). (210)11 II

tU2)lTll). ()2T)[TlI). pil)))!)). (T)2)llTl). 021)1111). (2)1)110)

Płaszczyzn rodziny {123} Jest 24 i w każdej z nich jest jeden kierunek rodziny (II 1>. dlatego systemy poślizgu są następujące

(I23)[l li). 032)1111). (312)011). (321)011). (213)0 lT). (231)11111 (123)011). 032)0111.(312)011). (321)1111). (213)011). (231)011, (123)011). (132)011). (3)2)00), (321)1011. (213)00). (231)1111 (123)00). 032)001. (372)00). (32T)[lTl), (273)011). (237)01 lj

Liczba systemów poślizgu wynosi zatem 12 + 12 + 24 = 48.

Naprężenie Peierlsa-Nabarro

Podczas poślizgu dyslokacje przemieszczają się z. jednego położenia równo w drugie (rys. 5.25). pokonując pewną barierę energetyczną, a konieczne ** bariery encreetYCznci przy poślizgowym ruchu dyslokacji naprę/enn-

sgSssr.- -»»₇

następującym wzorem

r_r._s = acxp(- kd/b)

gdzie: v._v - naprężenie konieczne do przemieszczenia dyslokacji w płaszczyźnie i kierunku poślizgu, a i k - stale dła danego materiału, d - odległość międz> sąsiednimi płaszczyznami poślizgu, b - długość wektora Burgcrsa.

Z równania na naprężenie przy poślizgowym ruchu dyslokacji wynika, że 1. Wymagane dla poślizgu dyslokacji naprężanie rośnie wykładniczo ze w/rostem długości wektora Burgcrsa. dlatego kierunkami poślizgu są kierunki o najmniejszych odległościach między atomowych.

2. Naprężenie konieczne do wystąpienia poślizgu dyslokacji maleje w\ kładniczoze wzrostem odległości między sąsiedniemi płaszczyznami poślizgu, gdy/

poślizg po gładkich i znajdujących się daleko od siebie płaszczyznach atomowych zachodzi łatwo.

3. Przemieszczanie się dyslokacji w- materiałach z wiązaniami kowalencyjnymi jest bardzo trudne z powodu kicrunkowości wiązań (np diament, krzem, polimery usiecjowanc), dlatego materiały te ulegają zniszczeniu na skutek kruchego

PC ta. zanim naprężenia wzrosną do wartości niezbędnej do spowodowania poślizgu.

4. Poślizgjest również utrudniony w matcr, , ,

„dy* przemieszczanie się dyslokacji w _laklch    ^{z w}'4/.aniami jonowymi

ładunków wokół amonów i kationów oraz prowadzi _ri ?^{ach /aburza} równowagę ,'h samych ", ^W kryształach o C^hU*™ ** do s.eb.e jonów „Jcnt.-mymi położeń,am, jonów wzdłuż kierunku lin    ^y°^{h od}'«=K»o«c. między

1*1, i *“^klch kryształach, zanim naprężeni . ^W,ęks« ^niZ w meta _u._vstąpienia poślizgu, następuje zwykle zniszczy,'    ^wano« krytyczna do

,h>« pękaniem Warunki wymienione w ^ “7;^ '™owane km-jiłaszczyzny o największej gęstości atomów , dlatn? ^d"^6ch Paktach spclmaja Uh zachodzi łatwo    ^Jla>«go poślizg _{po lakich}

5.3.5. Zależność r od siły ro₂ci_ąg_ającej /. dotychczasowych rozważań wynika żc pośł

pUstycmc materiału będzie zachodziło wówc^! ^yj^,0kacjⁱ- a zatem odkształceń,,, czyźnie i kierunku poślizgu ostrze

przeciwstawiających s,ę ruchów, dyslokacji W '    ' ^d° ^P°^konania "porów

wytrzymałościowej. a mianowicie w _pr6b,c mza^T^ ^s,~nej próbie *    Istotna jest wi_w zależność    ^d° ^próbk' Jest przykładana

, ^tworzonym, przez tę sil_c w plaszczyżnik^?'⁰*⁰"* ^S"^{ą r}°«>ągaj“a stycznymi. Poszczególne parametry dl» r    ^k,crunku poślizeu _{nan k} -

*»■ Działająca w kierunku

Pole powierzchni płaszczyzny poślizgu jes, S^/^^{00ej Si,y F} w>nos, Fc^'

^gd2,c S Przekrojem

Mymoino do Ptosasry* “ P°śbzgu

^Ta0cosAcos9

6=

Wanośćaap,^. _f '

erenku poślizgu    uonokrysz.aluzależ.odonentacj, _pl__y,_n>

143