DZIAŁ TECHNICZNY
Krzysiek SP5RDN
■ Power amplifier for 23 cm. Easy and reliable construction. Fuli description including components’ layout H
W związku ze wzrastającym zapotrzebowaniem urządzenia pracujące w paśmie 1296 MHz chaał-n podzielić się rozwiązaniem liniowego wzmac-cza mocy o wzmocnieniu 10 dB (200 mW/2 W). >rąc pod uwagę dostępność i cenę elementów macniających proponuję tranzystor KT919 B (ok.
000 zł), który może oddać (wg danych katalogo-'ch) 4 W na 2 GHz w klasie C. Jest to tranzystor oznaczony do pracy ze wspólną bazą. Aby upro-ć konstrukcję i zapewnić jej powtarzalność (nieza-nie od rodzaju laminatu!) wzmacniacz został za-jjektowany w oparciu o linie powietrzne z folii edzianej 0.05 - 0.1 mm. Laminat użyty w konstru-
1 jest dowolnego typu, gdyż wykorzystany jest jenie jako płaszczyzna masy. Impedancja wej-a/wyjśda wynosi 50 Q napięcie zasilania +20 V. ąd pobierany ze źródła 20 V - ok. 0.4 A. Bardzo ważną sprawą wpływającą na wysterowanie jest podłączenie trymera "Cl”. Stator trymera musi być podłączony 7iie dalej nit 2 mm od obudowy tranzystora. Proszę lutować szybko (2 sek.) gdyż ogrzewanie wyprowadzeń tak blisko obudowy może zniszczyć tranzystor. Trymer dopasowujący linię wyjściową (C2) stroi się przy pojemności rzędu 1 pF, a więc musi tu być użyty kondensator 05 - 2 lub 0.5 - 5 pF. Podstawa tranzystora (baza) odizolowana jest od masy podkładką mikową o grubości 0.02 - 0.05 mm, co stanowi pojemność baza/masa rzędu 20 - 50 pF. Prąd zerowy wzmacniacza wynosi 50 -100 mA. Dioda stabilizacji termicznej znajduje się w bezpośrednim sąsiedztwie podstawy tranzystora (bazy). Wzmacniacz nie wykazuje tendencji do wzbudzania się po odłączeniu sterowania, a parametry KT919B zapewniają powtarzalność konstrukcji.
mika
ca.
C2 |
|Ł1\ |
L3 (n j | |||
7777777777. |
Wt |
'////A |
ói i | ||
13 |
1 |
+20V
500Q o +20V
08
13