CCI20111111124

nież sinusoidalnym. Gdyby punkt M pracy wzmacniacza wypadł na części nieliniowej charakterystyki, zmiany prądu anodowego nie byłyby sinusoidalne, czyli wystąpiłyby odkształcenia sygnału wyjściowego. Zniekształcenia mogą być spowodowane również na skutek pracy wzmacniacza w nieodpowiednim zakresie — paśmie częstotliwości.

Należy mieć na uwadze, że wzmocnienie k_u wzmacniacza jest ograniczone. Największe napięcie wyjściowe jest wyznaczone przez

dobór początkowego punktu pracy i wartością amplitudy napięcia wejściowego. Przy coraz to większych amplitudach napięcia wejściowego wartości chwilowe napięcia siatki mogą osiągnąć zakres wartości dodatnich napięcia lub też wkroczyć do zakresu odcięcia prądu anodowego.

W obwodach lampy i wzmacniacza występują drgania elektronów nie związane z przepływem prądu anodowego czy też prądu w obwodzie siatki — są to zwykłe drgania elektronów wywołane przez różne czynniki, np. drgania cieplne. Są one przyczyną powstania tzw. napięcia szumów. W przypadku gdy sygnał wejściowy jest na tyle mały, że po wzmocnieniu jest mniejszy od napięcia szumów, to takiego sygnału nie da się odebrać.

Tranzystory ze względu na ich właściwości zastosowano do budowy wzmacniaczy, przez co osiągnięto: zmniejszenie ich rozmiarów (miniaturyzacja sprzętu), zmniejszenie poboru mocy, zwiększenie czasu użytkowania. Obok tych zalet wzmacniacze tranzystorowe mają pewne wady, a mianowicie: są one wrażliwe na zmiany temperatury, na przeciążenia, a więc nie zawsze mogą zastąpić wzmacniacze lampowe.

Ze względu na układ połączeń rozróżnia się trzy rodzaje wzmacniaczy tranzystorowych: 1) układ ze wspólną bazą — oznaczenie WJB, 2) układ ze wspólnym emiterem — WE, 3) układ ze wspólnym kolektorem — WK.

Wzmacniacz o układzie ze wspólną bazą został już omówiony w § 8.10. Obwodem wejściowym tego wzmacniacza jest obwód

Rys. 8-29. Schemat wzmacniacza tranzystorowego o układzie ze wspólną bazą

emiter-baza (rys. 8-29) o małym oporze R_g. Wiemy już, że zmiana napięcia emiter-baza wpływa na zmianę prądu I_E, co z kolei wpływa na zmianę prądu I_K• Przez doprowadzenie więc do obwodu emiter-baza napięcia zmiennego (podobnie jak do obwodu siatkowego lampy we wzmacniaczu lampowym) możemy sterować odpowiednią zmiennością prądu kolektor-baza 1_K, który jest prawie równy prądowi I_E, natomiast zmiany napięcia na obciążeniu R_a wypadną znacznie większe. Np. Uj = 0,15 V, I_E = 2 mA 1_K, napięcie zmienne wejściowe doprowadzone do obwodu emiter-baza zmienia się w granicach od +0,05 do —0,5 V, wywołując zmiany prądu emitera I_E w granicach od 1 do 3 mA, a tym samym prawie takie same zmiany prądu kolektora I_K. Napięcie zasilania obwodu kolektora U₂ = 30 V, opór obciążenia R_a = 5 kQ. Przy I_K — 2 mA

249