strona" (3)

22

3.3. Analiza wpływu wahań napięcia zasilającego i wpływu zmian temperatn ry na punkt pracy tranzystora wyjściowego T3.

Układ pomiarowy jest identyczny jak w punkcie 3.2. Aby zbadać wpływ temperatury i zmian napięcia zasilania zaznaczam następujące opcje w ustawieniach analizy:

DC Sweep:

Swept Var. Type: Voltage Source

Name: Ecc

Sweep Type: Linear

Start Value: 8,16

End Value:    12,24

Increment:    0,25

Parametric:

Swept Var. Type: Temperaturę Sweep Type: Value List Values: 15 25 45

Wartości zmian napięcia zasilającego Ecc i Eee zostały tak dobrane, by zasymulować działanie układu przy zmianach napięcia zasilającego o ±20%. Natomiast wartości temperatur zostały tak dobrane, by zasymulować możliwe zmiany temperatur wewnątrz obudowy zasilacza (np. zwiększenie się temperatury spowodowane nagrzewaniem się transformatora zasilacza sieciowego).

Najbardziej istotnymi parametrami w tym przypadku są prąd kolektora Ic3 tranzystora T3 oraz jego napięcie Uce3- Wykresy przedstawiające zmiany wartości tych parametrów w funkcji zmian napięcia zasilającego i temperatury zostały zamieszczone na następnej stronie.