W. Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH
Ozęić 2: Analizi wpływu rmian tempera rury na pr*x układów półprzewodnikowych
■zas R
Dla przestawionego na rysunku 2.13.1 układu źródła napięcia odniesienia mamy w temperaturze T0 = 25 °C następujące
dane:
- napięcie zasilania zmieniające się w granicach 10-r 15 V
- napięcie przebicia diody stabilizacyjnej wynosi Uoz= 6.2 V;
- współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora wynosi fi = 50; prąd zerowy tranzystora Icbo = 5 nA;
- spadek napięcia na złączu baza-einiter wynosi U be - 0,6 V;
- rezystancje dynamiczne diody stabilizacyjnej i złącza baza-emiter można przyjąć jako równe zeru.
Przy wzroście temperatury- w zakresie do 75 °C można przyjąć, że:
- współczynnik temperaturowy zmian napięcia diody stabilizacyjnej (Zenera) wynosi £dz= 1 mV / °C;
przyrost wzmocnienia prądowego wynosi Afi KfioAT) = 1 % / °C;
- temperatura podwojenia prądu zerowego Icbo wynosi 7,5 °C;
- współczynnik temperaturowy zmian napięcia baza-cmitcr tranzystora wynosi e*jr=-2,5 mV/°C;
Nałoży:
1. obliczyć wartości jakie powinny mieć rezystancje Rt i R2, aby wyjściowe napięcie odniesienia było w pełni skompensowane termicznie, oraz dla wybranych /?/ i R2 obliczyć wartość napięcia odniesienia;
2. przeanalizować jakie zmiany w rozwiązaniu wprowadziłaby konieczność uwzględnienia niezerowych rezystancji dynamicznych diody stabilizacyjnej (rpz) oraz złącza baza-emiter (rflfc);
Rozwiązanie
Ad 1. Napięcie na diodzie stabilizacyjnej jest w obwodzie równoważone sumą spadku napięcia na złączu baza-emiter tranzystora, oraz spadków napięcia wywołanych przez prąd emitera tranzystora na dwu rezystorach Rt i R2. Tak więc możemy napisać równanie „koła napięć”:
+ + czyli prąd emitera: /g = ~!f .o**
"l +K2
Napięcie odniesienia równe sumie spadku napięcia na złączu baza-emiter tranzystora i rezystorze R2 wyniesie:
Rezystory Iii i R2 musimy dobrać w sposób zapewniający kompensację zmian temperaturowych napięcia odniesienia. Do zależności (2.13.1) powrócimy po dokonaniu tego wyboru. Teraz zwróćmy tylko uwagę, że napięcie odniesienia nie zależy od napięcia zasilającego Uzas- Prąd zasilający I/as w rzeczywistym układzie musi tylko być większy od prądu emitera tranzystora (zależnego od wybranych Rt i R2) o tyle, aby reszta płynąca przez diodę stabilizacyjną jako luz mogła zapewnić odpowiedni punkt pracy na jej charakterystyce w zakresie przebicia. Warunek h < Izas zostanie uwzględniony przy wyborze rezystorów R, i R2.
R n,
Hm— | |
r 1 |
y |
1 [ J | |
- , |
* L! |
Rys. 2.13.2
Rozwiązanie zilustrujemy za pomocą schematu zastępczego układu dla zmian temperatury przedstawionego na rysunku 2.13.2. Przyrost prądu emitera możemy obliczyć jako:
A/ A Ul)Z-AUSE
czyli zmiana napięcia odniesienia wynosi:
AU*. + R, Als = AU,t: +—^-(AUra —AUef:) (2.13.2)
J\| l XV 2
Równanie to jest oczywiście różnicową (przyrostową) postacią równania (2.13.1) i równie dobrze moglibyśmy nie wykorzystując schematu zastępczego otrzymać je różniczkując równanie (2.13.1). Aby AU min było równe zeru musi zachodzić:
^u*e>0=MJ°z' skąd mamy:
AU,cR,=-AUmR2 czyli = (2.13.3)
r2 a ube eSE
Ponieważ s^jest zawsze ujemny z powyższego jasno wynika, że współczynnik temperaturowy diody stabilizacyjnej edz musi być dodatni. W naszym przypadku:
Teraz już z równania (2.13.1) można obliczyć wartość napięcia odniesienia:
(/ . =L' +--1-(Un7 -Upr)=0.6 V + 6,2 V= 4,6V (2.J3.5)
*E (RJR2) + V m ** 0,40+1
czyli spadek napięcia na rezystancji R2 wynikający z przepływu prądu lt- wynosi 4,6 V - 0.6 V = 4,0 V.
R
1 kś2
Ta wartość wyznacza maksymalny możliwy do przyjęcia prąd emitera. Przyjmując na przykład prąd równy około połowy tej maksymalnej wartości, tzn. h: = 2 mA (wtedy nawet przy minimalnym napięciu zasilającym jeszcze 1.8 mA przepływa przez diodę stabilizacyjną, co powinno zapewnić jej właściwy punkt pracy) otrzymujemy:
R2 = 4 V / 2 mA = 2 kO, oraz R, = 0,40 • R2 = 0,40 • 2 kH = 800
Sprawdźmy jeszcze moce wydzielane w elementach w przypadku przyłożenia maksymalnego napięcia zasilającego.