fia8

6.53.    Wskaż prawidłowe sformułowanie:

a)    Izolatory mają puste pasmo przewodnictwa i wąskie pasmo wzbronione.

b)    W metalach zapełnione jest pasmo przewodnictwa i częściowo pasmo walencyjne

c)    W półprzewodnikach elektrony przedostają się z pasma przewodnictwa do pasma walencyjnego na skutek zderzeń termicznych.

d)    W półprzewodnikach elektrony przedostają się z pasma walencyjnego do pasm.i przewodnictwa na skutek zderzeń termicznych.

6.54.    Przerwa energetyczna (pasmo wzbronione) w krysztale germanu nru wartość = 0,67 eV. Wyraź tę energię w dżulach. Oblicz napięcie, jakiego należałoby użyć, aby nadać elektronowi taką energię. Pamiętaj, że 1 eV = 1,6 ■ 10-'⁹ J.

6.55.    W półprzewodnikach samoistnych nośnikami prądu są:

a)    zależnie od rodzaju półprzewodnika — elektrony lub dziury;

b)    wyłącznie dziury;

c)    elektrony i dziury;

d)    wyłącznie elektrony.

6.56.    W półprzewodnikach domieszkowanych nośnikami prądu mogą być:

a)    elektrony w półprzewodnikach typu n;

b)    donory w półprzewodnikach typu n;

c)    jony w półprzewodnikach typu p;

d)    akceptory w półprzewodnikach typu p.

6.57.    German jest czterowartościowy. Aby zrobić z niego półprzewodnik typu /> należy go domieszkować niewielką liczbą atomów:

a)    czterowartościowego węgla;

b)    jednowartościowego potasu;

c)    trójwartościowego glinu;

d)    pięciowartościowego fosforu.

6.58.    Ustal, jakie typy półprzewodników otrzymuje się z czterowartościowego krzemu po dodaniu wymienionych w tabeli domieszek:

Nazwa pierwiastka	Fosfor	German	Gal	Ind	Antymc
domieszki	P	Ge	Ga	In	Sb
Wartościowość	V	IV	III	hi	V
Typ półprzewodnika

< >‘h Które ze zdań jest błędne? ft) I Wiom donorowy w półprzewodniku typu n znajduje się poniżej pasma przewodni twa.

BI

IWiom akceptorowy w półprzewodniku typu p znajduje się powyżej pasma walencyjnego.

I W półprzewodnikach domieszkowanych elektrony nie mogą mieć energii z za-kiesu pasma wzbronionego.

W półprzewodnikach domieszkowanych elektrony mogą mieć pewien poziom • ■nrrgii z zakresu pasma wzbronionego.

jak zmieni się opór elektryczny: a) miedzi oraz b) germanu, ze wzrostem iperatury?

. W celu zbadania zależności natężenia prądu płynącego przez złącze p-n od pięcia, przyłożono napięcie w kierunku przewodzenia i wyznaczono wartości lę/enia przy różnych wartościach napięcia. Następnie powtórzono pomiary dla nmku zaporowego, przykładając napięcie o przeciwnym zwrocie. Korzystając wyników zawartych w tabeli, wykonaj wykres l(U) dla diody półprzewodnikowej porównaj jego kształt ze znanym Ci wykresem analogicznej zależności dla rewodnika metalicznego.

U [VI	/ [mA]	Kierunek prądu
2	3,6	przewodzenia
1,9	3,1	przewodzenia
1,6	2,2	przewodzenia
1,4	1,8	przewodzenia
0,8	0,8	przewodzenia
0	0
-0,8	0,033	zaporowy
-1,6	0,039	zaporowy
-2	0,042	zaporowy
-3	0,045	zaporowy

M.62. Cjrulx>ść obszaru dyfuzji dziur i elektronów w złączu p-n wynosi ^ri 10" m, a wytworzona wskutek dyfuzji różnica potencjałów AV — około j21 V. laka jest wartość wektora natężenia pola elektrycznego i jego zwrot w tym ■js/at/e?