IMG00187

IMG00187



187

0275p6

+0,088

+0,056

06OH7

+0.030 0

18JS9

±0.021


V (\/)


B-B


B





7. Ogólne tolerancje ISO 8062-CT14-RMA 3,5(C)

2.    Obróbkę wymiarów podanych w [ ] wykonać po osadzeniu na piaście wiehca (rys. 12.04.17)

3.    Ostre kro wędie za tępić

4.    Nieoznaczone: pochylenia odlewnicze-3\

promienie odlewnicze -(4.. ,5)mm

5.    ISO 2768-m

PIASTA


1561

Rys. 12.4.16


IrczęSc Nozwo części 1

Uoteriol i Nr normy

1 LN-GJL-20C

ny NrrwrofłóOłyroIW

v PN-EN

Ci<w

Konstnjow

POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA

r

Kreśli!

1

0

e

CL

w Kielcach

Sprawdził

i

S

8

1-

WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN

Należy do zesDOlu Nr

Zatwierdź

Katedra Podstaw Konstrukcji Maszyn

Nr archiwalny

3odzialko

1:1

Format

AJ

Nazwa przedmiotu

ŚLIMACZNICA

Nr rysunku

12.04.16


0275H7 +%052




Ra 12.5


Liczba zębów


Moduł


z2 40


m 8


rodzoj ślim.


ZA


O o-


liczb, z wojów


kgt zarys.


luz wierzch.


kgt lin, z w.


kier, lin.zw.


wskaż, średn.


Odległość osi


Wspótcz.przesuń.


Dokladn. wykonan. Skok


zwo/u


Wysokość zęba


Numer rys, ślim.


Inne dane


Obróbkę wymiarów podanych w [ ] oraz nacinanie zębów wykonać po osadzeniu wieńca na piaście (rys. 12.04.16)

Ostre krawędie zotępic ISO 2768-m


2QL

1.6

14710


prawy


192


ft 50.265


h 17.6


00.l2.im


m


Rys. 12.4.17


IrcjęSc

2

tao częśd    ItóJflMoteriol i Nr nomy

WIENIEC |?|    B101

Nr nomy p

m-m

Cię7or

Konslruow

POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA

Kreśli!

o

CL

w Kielcach

garów

Sprawdzi!

o

S

8

a.

WYDZIAŁ MECHATRONIKI I BUDOWY MASZYN

Noleży do zesoolu Nr

Zatwierdź

Katedra Podstaw Konstrukcji Maszyn

Nr orchiwolny

3odziolko

1:1

Format

AJ

Nazwa przedmiotu

ŚLIMACZNICA

Nr rysunku

12.04.17



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Str187 (2) 187 0275p6 +0.088 -h 0.056 06OH7 +0,030 0 18JS9 ±0.021 V (/) /. Ogólne tolerancje ISO
170 0275p 6 + 0.088 + 0,056 06OH7 + 0,0 30 0 18JS9 ±0,021 vV)BB-B[.WOJ [ 18JS9]C (5: 1) Ra
170 0275p 6 + 0.088 + 0,056 06OH7 + 0,0 30 0 18JS9 ±0,021 vV)BB-B[.WOJ [ 18JS9]C (5: 1) Ra
168 06OH7 + 0,030 0 18JS9 ±0,022 RoWWv/) / JO±0,048 / 0,035
IMG00179 179 062H7 +0,030 0 18JS9 ±0,022 Ra25124-8.2 /,0I6a    79,403-8),190
IMG00185 185 06OH7 +0,030 0 1BJS9 ±0,022 Ra 12,5V/(v/) B 18JS9Ro3#J7 s Liczba
Str179 (2) 179 062H7 +0,030 0 18JS9 ±0,022 Ra25 JraęSc Nonra częSd /Ra 12,5 Liczba
12853 Str185 (2) 185 06OH7 +%0J0 18JS9 ±0,022Ro12^V) tO B 18JS9 Liczba
062H7 +0.030 0 18JS9 ±0,022 ‘±40’ ♦ c
50033 Str179 (2) 179 062H7 +0,030 0 18JS9 ±0,022 Ra25 JraęSc Nonra częSd /Ra 12,5 Liczba
Img00183 187 a) Rys. 3.53-1. Oczyszczanie materiałów półprzewodnikowych: a) krystalizacja kierunkowa

więcej podobnych podstron