Laboratorium Elektroniki cz I 3

62

2.4. Aparatura pomiarowa

Do pomiarów charakterystyk statycznych służy uniwersalny tester przyrządów półprzewodnikowych i układów scalonych (patrz dodatek D.1) oraz woltomierze i amperomierze.

2.5. Program ćwiczenia

1.    Wyznaczenie charakterystyki wejściowej Ueb = We) - pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej trzech wartości napięcia Uca (np.: 0 V, 2 V, 5 V).

2.    Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej lc = f(UcB) - pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej pięciu wartości prądu Ie (np.; 0 mA, 1 mA, 2 mA, 3 mA, 4 mA).

3.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej lc = f(le) - pomiar należy przeprowadzić dla co najmniej trzech wartości napięcia Ucb (np.; 0 V, 2 V, 5 V).

4.    Wyznaczenie charakterystyki przejściowej inwersyjnej I'e = f(l'c) - pomiar należy! przeprowadzić po zamianie miejscami kolektora i emitera dla co najmniej trzech wartości napięcia Ucb - takich samych jak w p. 3.

Rys. 2 9 Układ do wyznaczania charakterystyk statycznych

Rys 2 10 Układ do pomiaru prądów zwrotnych: a) l_CBo. b) l_EBo

powered by

. Mi siol

5 Wyznaczenie charakterystyki zwrotnej U_Eb = f(UcB) - pomiar należy dla co najmniej pięciu wartości prądu l_E (patrz punkt 2). g pomiar prądu zerowego Icbo - pomiar należy przeprowadzić przy rozwartym emiterze dla co najmniej trzech wartości napięcia Ucb.

7 pomiar prądu zerowego I_Ebo - pomiar należy przeprowadzić przy rozwartym kolektorze dla warunków z punktu 6.

Charakterystyki statyczne wyznaczamy w układzie pomiarowym przedstawionym _na rys. 2.9; pomiar prądów zerowych wykonujemy w układach z rys.2.10.

2.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki pomiarów z punktu 1-5 należy przedstawić na wykresach.

2.    Dla obranego punktu pracy należy wyznaczyć parametry hijb.

3.    Na podstawie wyznaczonych parametrów hjj_b obliczyć wartości elementów schematu zastępczego typu „hybryd-n”.

4.    Wyznaczyć i porównać ze sobą wartości parametrów: a_Nl cxi i h₂i_b. Wyjaśnić różnice.

5.    Dla przebadanych tranzystorów podać katalogowe wartości parametrów hijb i porównać z otrzymanymi w trakcie ćwiczeń. Wyjaśnić różnice.

6.    Przedyskutować uzyskane wyniki dla prądów Icbo i Iceo-

7.    Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane katalogowe.

2.7. Literatura

¹ W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 217-317.

2- K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. Nr 2022. Gliwice 1997.

3' P. Reinhold: Technika pomiarów tranzystorów. WKŁ, Warszawa 1973, s. 19-40, 81-104.