104
7. Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem zdjąć charakterystykę lD = f(Un»i'
“SJ.
Pomiar przeprowadzić dla UDs = const oraz dla co najmniej trzech wartości napję. cia Ugs (w tym Ugs = 0).
8. Zmierzyć rezystancję wejściową tranzystora w układzie przedstawionym j]a rys. 5.6.
Rys. 5.6. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych
Aby zmierzyć rezystancję wejściową, należy do układu włączyć kondensator C, a następnie rozewrzeć układ w punkcie A. W celu oszacowania rezystancji wejściowe)1 należy obserwować przebieg prądu drenu w czasie, dokonując pomiaru dwóch wartości:
Idi - w czasie t1t lD2 - w czasie t2.
Następnie z uzyskanej uprzednio charakterystyki przejściowej Id = UUgs) dla Uos = const odczytać odpowiednie wartości Ugsi • Ugs2- Rezystancję wyznaczyć ze wzoru:
(5.9)
R =
Z"1 Cln-HfiSL GS2
1. Wyniki pomiarów z punktów 2-7 przedstawić na wykresach.
2. Dla obranego punktu pracy (w obszarze dozwolonym) wyznaczyć z charakterystyii parametry gm, gds, gb.
Wyznaczyć wartości parametrów statycznych: lDss. Udss. UGS(of
rpS(OFF)-
4 Obliczyć I wykreślić zmiany transkonduktancji gm w całym przebadanym zakresie nasycenia - z charakterystyk statycznych i korzystając ze wzoru (5.6). Ustosunkować się do uzyskanych wyników.
5 porównać charakterystyki otrzymane normalnie i po zamianie miejscami drenu ze źródłem. To samo dotyczy parametrów statycznych i małosygnałowych.
6 Na podstawie pomiarów z p. 6 obliczyć i wykreślić oporność RDS = f(UDS).
7 Obliczyć oporność wejściową.
8. Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane
katalogowe.
1. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 343-365.
2. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe typu MIS. WNT, Warszawa 1977.
3. K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. nr 2022. Gliwice 1997.
4. Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.
5. J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.