Laboratorium Elektroniki cz I 4

Laboratorium Elektroniki cz I 4



104

7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem zdjąć charakterystykę lD = f(Un»i'

“SJ.

Pomiar przeprowadzić dla UDs = const oraz dla co najmniej trzech wartości napję. cia Ugs (w tym Ugs = 0).

8.    Zmierzyć rezystancję wejściową tranzystora w układzie przedstawionym j]rys. 5.6.

Rys. 5.6. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych


Aby zmierzyć rezystancję wejściową, należy do układu włączyć kondensator C, a następnie rozewrzeć układ w punkcie A. W celu oszacowania rezystancji wejściowe)należy obserwować przebieg prądu drenu w czasie, dokonując pomiaru dwóch wartości:

Idi - w czasie t1t lD2 - w czasie t2.

Następnie z uzyskanej uprzednio charakterystyki przejściowej Id = UUgs) dla Uos = const odczytać odpowiednie wartości Ugsi Ugs2- Rezystancję wyznaczyć ze wzoru:

(5.9)


R =


Z"1 Cln-HfiSL GS2

5.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki pomiarów z punktów 2-7 przedstawić na wykresach.

2.    Dla obranego punktu pracy (w obszarze dozwolonym) wyznaczyć z charakterystyii parametry gm, gds, gb.

Wyznaczyć wartości parametrów statycznych: lDss. Udss. UGS(of


rpS(OFF)-


4    Obliczyć I wykreślić zmiany transkonduktancji gm w całym przebadanym zakresie nasycenia - z charakterystyk statycznych i korzystając ze wzoru (5.6). Ustosunkować się do uzyskanych wyników.

5    porównać charakterystyki otrzymane normalnie i po zamianie miejscami drenu ze źródłem. To samo dotyczy parametrów statycznych i małosygnałowych.

6    Na podstawie pomiarów z p. 6 obliczyć i wykreślić oporność RDS = f(UDS).

7    Obliczyć oporność wejściową.

8. Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane

katalogowe.

5.7. Literatura

1.    W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 343-365.

2.    W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe typu MIS. WNT, Warszawa 1977.

3.    K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. nr 2022. Gliwice 1997.

4.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

5.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
85932 Laboratorium Elektroniki cz I 4 104 7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym pod
Laboratorium Elektroniki cz I 4 44 1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych W bipolarnych układ
Laboratorium Elektroniki cz I 4 ijs2e    nai ra"i-    eCi Rys.
Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy przełącz
74410 Laboratorium Elektroniki cz I 4 184 6.    Czy wartości czasów przełączeń diod
55350 Laboratorium Elektroniki cz I 4 124 totyrystorze zawiera się w granicach 103-104, a czasy pr
Laboratorium Elektroniki cz I 4 64 4.    W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT,

więcej podobnych podstron