Laboratorium Elektroniki cz I 4

44

1.2.10. Tranzystor w połączeniach diodowych

W bipolarnych układach scalonych ze względów technologicznych nie wykonuje się diod p-n w tradycyjnej postaci. Najczęściej wykorzystuje się gotowe struktury tranzystorów bipolarnych, odpowiednio zwierając ich elektrody. Istnieje pięć możli-

Rys. 1.9. Tranzystor w połączeniach diodowych (1) - l_E = o, (2) • l_c = 0, (3) • Uce =    (⁴) ■ Ucc = 0,

(5) - U_BE = O

Ipowered by

Misiol

wości zrealizowania w ren sposoo aiody (rys. 1.9). Każda z taK uzysKanyćlHJJoćH^^^™ siada nieco inne właściwości, zebrane w tablicy 1.1.

Tablica 1.1

Diodowe połączenia tranzystora bipolarnego

WIELKOŚĆ	Ie = o	lc = 0	U CE = 0	o ii £ 3	Ube = 0
UF [V]	0,60	0,68	0,60	0,67	0,60
Ubr [V]	20-60	6-7	6-7	6-7	20-60
Ir [fiA]	0,1	5	5	5	0,1
Trr [ns]	100	50-70	50-70	5-15	50-70

1.3. Tematy sprawdzające

1.    Przedstawić model pasmowy złącza p-n i omówić proces polaryzacji tego złącza.

2.    Przedstawić model pasmowy złącza p⁺-n⁺ i omówić proces polaryzacji tego złącza.

3.    Przedstawić i omówić małosygnałowy model diody ze złączem p-n.

4.    Wyjaśnić mechanizmy przebicia złącza p-n.

5.    Przedstawić i wyjaśnić zasadę działania diody Schottky’ego.

6.    Porównać właściwości diod wykonanych z krzemu, germanu i arsenku galu.

7.    Wymienić, zdefiniować i omówić najważniejsze parametry techniczne służące do opisu właściwości diod półprzewodnikowych.

8 Wymienić, zdefiniować i omówić najważniejsze parametry techniczne służące do opisu właściwości diod uniwersalnych.

9.    Przedstawić problemy związane z charakterystyką prądowo-napięciową diody półprzewodnikowej.

10.    Jakie właściwości posiada tranzystor wykorzystywany jako dioda?