85932 Laboratorium Elektroniki cz I 4

104

7.    Dla tranzystora z wyprowadzonym podłożem zdjąć charakterystykę Id = f(Ues). Pomiar przeprowadzić dla Uds = const oraz dla co najmniej trzech wartości napię-cia Ugs (w tym Ugs = 0).

8.    Zmierzyć rezystancję wejściową tranzystora w układzie przedstawionym na rys. 5.6.

Rys. 5.6. Układ do pomiaru charakterystyk statycznych

Aby zmierzyć rezystancję wejściową, należy do układu włączyć kondensator C, a następnie rozewrzeć układ w punkcie A. W celu oszacowania rezystancji wejściowej należy obserwować przebieg prądu drenu w czasie, dokonując pomiaru dwóch wartości:

Idi - w czasie ti,

Id2 - w czasie t₂.

Następnie z uzyskanej uprzednio charakterystyki przejściowej Id = f(UQs) dla Uds = const odczytać odpowiednie wartości Ugsi i Uqs2. Rezystancję wyznaczyć ze wzoru:

R = *² f/¹ ~    (5.9)

Cln-^SL

^UGS2

5.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki pomiarów z punktów 2-7 przedstawić na wykresach.

2.    Dla obranego punktu pracy (w obszarze dozwolonym) wyznaczyć z charakterystyk parametry g_m, gdsi 9b*

3.    Wyznaczyć wartości parametrów statycznych: l_DSS, Uoss. roS(OFF)-

4.    Obliczyć i wykreślić zmiany transkonduktancji g_m w całym przebadanym zakresie nasycenia - z charakterystyk statycznych i korzystając ze wzoru (5.6). Ustosunkować się do uzyskanych wyników.

5.    Porównać charakterystyki otrzymane normalnie i po zamianie miejscami drenu ze źródłem. To samo dotyczy parametrów statycznych i małosygnałowych.

6.    Na podstawie pomiarów z p. 6 obliczyć i wykreślić oporność R₀s = f(U_Ds)-

7.    Obliczyć oporność wejściową.

8.    Scharakteryzować przebadane tranzystory wykorzystując wyniki pomiarów i dane katalogowe.

5.7. Literatura

1. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1984, s. 343-365.

2.    W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe typu MIS. WNT, Warszawa 1977.

3.    K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Skrypt Pol. Śl. nr 2022. Gliwice 1997.

4.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

5.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.