PAGE91
ttefafcwa elektrod a
Elekt -oda
U
Tranzystor MOS: a) bez napięć polaryzujących, b) z napięciami polaryzującymi powodującymi wytworzenie kanału typu n
Elekircdz
Tranzystor MOS ‘ z kanałem typu p (p-MOS)-
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
skanowanie0010 (21) 9.8 4W*30 Kiurl ow—l—i Rd"301 Crip 5.10 Tranzystor p-MOS ma napięcie odcię
1tom171 7. ELEKTRONIKA 344 IS isJss i iJ Ld) Rys. 7.18. Tranzystory MOS: a) symbole graficzne: B pod
14154 sadasd Egzamin z Elementów Elektronicznych2010.02.04 Zad. 4. (10 p. makt) Tranzystor MOS z kan
60177 skanowanie0005 (155) Egzamin z Elementów Elektronicznych 2010.02.04 Zad. 5. (10 p. maks.) Tran
Image012 stracony, co równałoby się utracie informacji. Ta właściwość struktury tranzystora MOS zost
Image025 porównywalna lub nieco większa niż układów z kanałem p. Przekrój struktury tranzystora MOS
strona (369) Ryt 6—6. Rozmieszczenie elektrod w dolnej części pleców (pacjent bez radikulopatii): us
2016-05-11Ul kS Rozwój tranzystorów MOS Intel Transistor Leadership H LflJ u u !
DSC00022 (15) Klasyczne problemy z redukcją wymiarów (tranzystor MOS) Redukcja giuboio dielektryka.
DSC00030 (17) Liczba atomów domieszki obszarze zubożenia tranzystora MOS nr * HJan4) W I X,W&Z9B
DSC00060 (24) Tranzystor MOS SOI z kanałom naprężonego krzemu
Rys. 9. Pierwszy komputer elektroniczny - ENIAC1948 Powstaje tranzystor, którego masową produkcję
więcej podobnych podstron