1tom171

7. ELEKTRONIKA 344

I

S i

sJs^s i iJ

L

d)

Rys. 7.18. Tranzystory MOS: a) symbole graficzne: B podłoże (ang. Bułk), D dren, G — bramka (ang. Gate).

S źródło (ang. Source); B zwykle połączone z niższym potencjałem, najczęściej z S: b) charakterystyki przejścia czterech odmian tranzystorów MOS: w — wzbogacany, z — zubożany kanał, kanał n (NMOSk kanał p (PMOS); c) charakterystyki napieciowo-prądowe I_D(U_DS) U_cs = const: ! — zakres liniowy, 2 — zakres nasycenia: d) tranzystor NMOS o zwartych G z D jako rezystor stały obciążający

Tablica 7.3. Modele czwórnikowe tranzystorów — równania, parametry, wg [7.12]

Równania admitancyjne 'i = >u“i+>iz“2 ^i2 = >'2t“l+>’2z“2	Parametry y >'n = ij«t u2 = 0 >12 = 'V“2 u, =0 >21 ^= lV^Ul U, =0 >22 = *V»2 u, = 0	Oznaczenia katalogowe i w literaturze anglojęzycznej -y. (input) — wejście —yr (reverse) — oddziaływanie wstecznie —hf (forward) — oddziaływanie w przód — hc (output) — wyjście
ITT * a, 2 1 Urnowy _2
Równania mieszane (hybrydowe) “l = *u<i+/li2«2 i 2 = '>21‘l+^fc22">
	Parametry h hu = il/ul u, = 0 h,2 = it/u2 Uj = 0 hu = ij/uz u2 = 0 = iVu2 Uj = 0	Oznaczenia katalogowe i w literaturze anglojęzycznej ht — admitancja wejściowa hr — współczynnik oddziaływania wstecznego hf — współczynnik wzmocnienia prądowego he admitancja wyjściowa
Uwaga. We wskaźniku dolnym dodaje się oznaczenie elektrody wspólnej masy. np. hns — hsy tj. względem źródła — WS; hu£ w układzie WE (tranzystor bipolarny).

Właściwości tranzystorów uni- i bipolarnych przy małych sygnałach można opisać równaniami czwórnika liniowego [7.5; 7.12]. Ze względu na łatwość pomiaru parametrów stosuje się głównie parametry admitancyjne y lub mieszane (hybrydowe) h — tabl. 7.3.

' przegląd katalogów' wielkich producentów' pozwala na podzielenie tranzystorów MOS na dwie grupy:

A.    Do pracy ciągłej w.cz. (RTV, telekomunikacja, metrologia w.cz. itp.); są to głównie tranzystory NMOŚ z kanałem zubożanym, U_DS <20 V, I_D 5 60 mA.

B.    Do pracy impulsowej (przerywacze, czyli czopery, przekaźniki, falowniki itp.): g] — małej mocy NMOS z kanałem wzbogacanym, U_n ^ 20 V. /„ ^ 1 mA, t_os/t_0FF = = 1,0 ns 5 ns; B2 — mocy o strukturze D-MOS z kanałem poprzecznym (ang. vertical) ls lub P, V_DS < 450 V, 1_D < 1500 mA, i₀x/¹off typowo 10 ns/20 ns. Tranzystory MOS dużej mocy - zob. t. 2., rozdz. 8. Energoelektronika.

Symbole graficzne odmian tranzystorów MOS i pojemności międzyelektrodowe podano na rys. 7.19.

Rys. ".19. Tranzystory MOS: a) tetroda do pracy ciągłej, diody tłumiące przepięcia wejściowe; bi impulsowy (przełączający) D-MOS, konieczna zewnętrzna dioda zwrotna; c) pojemności wewnętrzne i zewnętrzne (zaciskowe) tranzystora

*)

o-

b)

o-

Rys. **.20. Schematy zastępcze małosygnałowc tranzystora MOS: a) dla małej częstotliwości; b) dla dużych częstotliwości (praca impulsowa)

Ny rysunku 7.20 przedstawiono najprostsze modele czwórnikowc — schematy zastępcze tranzystorów' unipolarnych dla m.cz. i w.cz., przy czym:

y’21 = 9_m = ż’22 = gd =

dl _D dUcs dl„ cb_DS

Uds-Ubs ^CS.B5

transkonduktancja, czyli admitancja przejściowa (7.19a)

konduktancja wyjściowa, czyli admitancja wyjściowa

(7.19b)

Podstawowe dane katalogowe służące do wstępnego wyboru typu tranzystora impulsowego: parametry' dopuszczalne U_DS. 1_D, P_tot przy T_a„_b oraz parametry charakterystyczne: U_GS (max-min), Rds(O.V) (typ- max), transkonduktancja w układzie WS -*²>s = y-fs = g_m, maksymalne czasy t_OK/t_OFF, rodzaj obudowy.