Scan0014 7

Inbela 2.1. Rodzaje wysokonapięciowych tranzystorów mocy i ich symbole graficzne [18J

Nazwa tranzystora	Oznaczenie stosowane w publikacjach	Symbol graficzny
11; m zystor złączowy bipolarny typu NPN i i'mwanic prądowe)	BJT (ang. Bipolar Junction Transistor)	(Kolektor) r J^c (Baza) B o— (Emiter) ° E
! muzy stor połowy i unipolarny normalnie w \ ląc zony) z kanałem /bogaconym typu N	MOSFET (ang. Metal-Oxide Semiconductor Field-Ejfect Transistor)	(Dren) ^_<j> D (Bramka) Go— 1—" (Źródło) i s
lYiuizystor bipolarny / izolowaną bramką i -.icrowunie napięciowe)	IGBT (ang. Insulated Gate Bipolar Transistor)	' ITn°r'^OS n-«—^11 IS^trrńm t
		0 6 U -etll- _ -------

I    mIm Iii 2.2. /.estHwienie parametrów i zakresu wartości dla wybranych wysokonapięciowych

II    fili/ \ torów mocy

Parametr	BJT	MOSFET	IGBT
lar* a, i •./<■ powtarzalne prądy .o tam jonowe. kA	0,8	0,2	4,0
iap\ li, 1 powlai/alne napięcie /imntionowe, K V	1,2	1,0	6,5
1- * >* 1 o( -iciowunia bramkowego \mr ' mm'mm ■■■ — ■ ----------—__________—	prądowe	napięciowe	napięciowe
, Mm lutowaniu	duża	mała	mała
Mmi\ uhm v piv uwodzeniu	małe	duże	średnie
Mrah ińócy pi/ulijeztmln	średnie	małe	małe
i lapii - a pi/( u oil/cnia pr/y prądzie oifimlotiowyni. V	1,5-: 2,0	2+3	2-7-4
Mai . uiiilmi i /ęslolliwośi przełączeń, kl 1/	5	500	/()
t -i.lv /uli}* /mila t.......	^1+2	0,1+0,15	0,4+1
i -;i - •> v ląt/iinin/„ri, fis	5:7	0,2:0,5	0,8+3
żaku ilupii-i ziiltiej lemperaliiry pracy,"(’	40 : i so	55: ISO	70 ISO
• iyiatii: i’Hlc ob‘i/imi be/piccz.ncj pracy	7}./y/i	7}	//
la i,iMi|n»ivc ptądowa	mula	mułu	mula
' it i pic. i II|r p| / fi ią/rn|l)\VC	•dci i »vc unie	sleiow ituii-	ttpn iwanie
	btt/y	hutnik i	hmttiki
1 piijcip, i}i -cyn pi yi/ądll	tłum	fflilfil	bttfdzu dum 1

It zestawiono w tabeli 2.1. W tych układach tranzystory spełniają funkcje łącz iii w elektrycznych. Ich parametry eksploatacyjne zestawiono w tabeli 2.2. ty W spółczesnych układach energoelektronicznych dominującą pozycję jako łącz-11 hic ty tranzystory połowę MOSFET w zakresie małych i średnich mocy (przy na-hi. ii do ok. 100 V) oraz tranzystory IGBT w przedziale dużych mocy o wysokich Im li blokowania (do 6,5 kV). Są to przyrządy o sterowaniu napięciowym.

Tranzystory bipolarne BJT

UfcMnry bipolarne BJT (ang. Bipolar Junction Transistor) są przyrządami pół-ąy. niliiikowymi o sterowaniu prądowym, w których prąd kolektora Ic jest stero-i prądem bazy/b. Przerwanie przepływu prądu/c jest wymuszane zanikiem prą-/ In!' /inianą jego kierunku.

Ł| Ju opisu właściwości bipolarnego złączowego tranzystora mocy BJT i do wybo-jMy" punktu pracy - w typowych układach przekształtnikowych - wystarczy poić nul lny charakterystyk obwodów wejściowych i wyjściowych. Dla układu po-;jj I# wspólnym emiterem (WE) są to następujące charakterystyki:

= 111 / m ), dla Uce = const (parametr) w fu / (i), dla Ib = const (parametr)

mn/u|ąc właściwości statyczne tranzystora jako łącznika, bierze się pod uwali > lnu .i florystykę wyjściową (rys. 2.14). Dotyczy ona struktury NPN chociaż fidr/iiości są słuszne również dla tranzystorów o strukturze PNP, po dniniiii wymaganej zmiany polaryzacji napięć między elektrodami.

. *. działania przełączeniowego, charakterystycznego dla tranzystorów uży-\\ ul ladach energoelektronicznych, przyrząd znajduje się na przemian bądź odcięcia (stan blokowania, nieprzewodzenia), bądź w obszarze nasycenia płff wodzenia).

Itłi i iHH \ ani bipolarny iiII a) syrubol gm

0    on i lUtiilkli i yn

1    ^ I, m |( U_t h) dla i pifjdu liM- , Ih