Na rysunku przedstawione są dwa przykładowe symbole graficzne tranzystorów polowych. Nazwy poszczególnych elektrod to: D - dren. S - źródło. G - bramka. Elektrody te spełniają podobne funkcje jak odpowiadające im elektrody w tranzystorze bipolarnym. Kolektorowi C' odpowiada dren D, emiterowi E odpowiada źródło S, a bazie B odpowiada bramka G.
Tranzystory MOSFET mają często wyprowadzoną czwartą końcówkę B podłączoną do podłoża (bulk). Elektroda ma podobne działanie jak bramka i jest izolowana od kanału warstwą zaporową. Jednak na ogół nie wykorzystuje sie jej właściwości i jest ona łączoną ze źródłem.
w
Działanie tranzystora polowego polega na sterowaniu przepływem prądu przez kanał za pomocą pola elektrycznego wytwarzanego przez ładunek doprowadzony do bramki. Ponieważ w tranzystorze polowym nie ma żadnych przewodzących złącz więc do bramki nie wpływa ani z niej nie wypływa żaden prąd i jest to najważniejsza cecha tranzystorów polowych. Bramka G (Gate) jest elektrodą, która steruje rezystancją między drenem D (Drain) i źródłem S (Source).
n JFET