104

104



* v

Ss


*


N


#


*


jest umieszczona

♦ *    i- "

i grubości ścian i


t:


Lj jest wykonana w postaci koła o średnicy 30 cm. Cewka


DNE 0 0,9. W cćlu umieszczenia


I mn). Uzwojenie cewki składa się z 10—12 zwojów przewodu


&


*


I0~



0 0,9 o długości 1250 mm. Odcinki drutu wa Hub inna izolacyjna) o długości 1000 mm.


*


. Y

f -,v


a następnie w rurkę aluminiową o długości 960 mm, stanowiącą ekran elektrostatyczny. Rurkę aluminiową, ze znajdującymi się w niej przewodami, wygina się w koło. Odizolowane końce drutu łączy się ze sobą szeregowo, tzn. koniec jednego przewodu łączy się z początkiem drugiego. Miejsca łączeń odcinków należy zaizolować, a końce cewki przewodem ekranowanym połączyć z układem generatora pomiarowego. Na końce ekranu elektrostatycznego (rurka aluminiowa) trzeba nałożyć kawałki rurki izolacyjnej, ponieważ zwarcie się końców ekranu jest równoznaczne ze zwarciem uzwojeń cewki l2.

Cewka L3 ma 537 zwojów drutu DNE 0 0,2 nawiniętych na rdzeniu kubkowym

M-26/16 o stałej AL = 400.

Obudowę wykrywacza najlepiej wykonać z blachy aluminiowej lub miedzianej

połączyć


7 maca iiłfłarfii

s

Uruchomienie układu wykrywacza metali sprowadza się do regulacji częstotliwości generatora porównawczego i obwodu rezonansowego mieszacza. Uruchomienie układu należy rozpocząć od zmierzenia częstotliwości generatora pomiarowego. Końcówkę kondensatora C10 odłączyć od emitera tranzystora 72 i oddalić cewkę Lf na Odległość co najmniej 1,5 m od przedmiotów metalowych. Do bazy tranzystora 73 dołączyć częstościomierz i odczytać wskazanie. Następnie włączyć kondensator C10, a odłączyć elektrodę kondensatora C9 dołączoną do emitera tranzystora T1. Częstościomierzem podłączonym do bazy tranzystora 73 odczytać częstotliwość generatora porównawczego. Nie powinna się ona różnić od częstotliwości generatora pomiarowego więcej niż o I kHz. Gdyby różnica była większa należy dobrać pojemność kondensatora C6. Przy braku możliwości regulacji częstotliwości pojemnością kondensatora C6, należy dobrać odpowiednio indukcyjność cewki L1. Po

V

uzyskaniu różnicy częstotliwości ok. I kHz można włączyć kondensator C, i zestroić obwód LaCu, aby na kolektorze tranzystora 73 uzyskać maksymalny sygnał.

Regeneracja ogniw i baterii

• V.

Coraz to wyższe ceny, a także okresowe trudności z zakupem baterii powodują,

fi

że warto zainteresować się sposobami przedłużenia ich żywotności. Nie wszyscy zresztą wiedzą, ie taka możliwość w ogóle istnieje. Sprawą warto się zająć także

_' t    H*

i Z tego powodu, że stosowanie regeneracji na większą skalę przyczyniłoby się do

.*«.    s

• %    ■“ _

M I oszczędności deficytowych materiałów, np. cynku. Sposób regenerującego łado-^ wania ogniw i baterii opatentował holender Ernst Beer już dość dawno, bo około ...25 lat temu. Metoda polega na ładowaniu częściowo rozładowanej baterii prądem . w zasadzie jednokierunkowym, ale z niewielkim „udziałem”, ok. 10% prądu płyną-;/\cęgo w przeciwnym kierunku. Można zatem mówić o ładowaniu asymetrycznym

•«    .ę.

- prądem zmiennym.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
323.1.1. Struktura systemowa Struktura systemowa rodziny konstrukcji SS. jest sumą struktur systemow
SSF fire m ______ 1
IMG 1404014850 2111 3" k % Vv W g Po SM I W l i SteS SS Ml 11 »ess 31 fijęi ŁJ
17313.2. ZASADY KSZTAŁTOWANIA ODLEWÓW 173 1. MINIMALNA GRUBOŚĆ ŚCIAN ODLEWÓW Tabl. 13.2.1. Minimalna
v( I / I ł““ 1 iiik VI jj_ lr“ wM mi Lj 1 . -i—--- IL
skanowanie0002 (92) Ftvr> gi/ _ !5 b ^533 (5sffSE7Cło-j ^i§ CAj^eTn, £‘ V s~ -~jt_—ij" f&
931.5.10.2. ZASADY KSZTAŁTOWANIA ODLEWÓW [10], [30], [33] 2. MINIMALNA GRUBOŚĆ ŚCIAN ODLEWÓW Tabl.
T^ • L* £. “■• * i, ♦, ,Jp^ iHAnn i Łj ’ f^w j A A

więcej podobnych podstron