5

)) SCHEMATY POMIAROWE

ZASILACZ

-0—

ZASILACZ

.) Uktad WE, tranzystor npn

i) Uktad WB, tranzystor pnp

ZASILACZ +

-0—

ZASILACZ

) Uktad WE, tranzystor pnp

ZASILACZ +

-c£P-0-

-0—

ZASILACZ +

ZASILACZ

<510

-0—

I) Układ WB, tranzystor pnp

ZASILACZ +

:) układu do pomiaru prądów I_CER (tranzystor npn).

£) Parametry katalogowe przykładowych typów tranzystorów Jeżeli pomiary w laboratorium dotyczą innych typów ranzystorów ich dane należy odszukać samodzielnie w katalogu elementów półprzewodnikowych.

	LcEm*x [VI	IcEnwc IA1	IlIrmN [A]	IV]	m	^pwtw]	tjmax (^C1	UCESAT FI	Elit;	fi IMłiz]	■W tCAVi	TVP
3DP281	30	7	3	40	5	40 tc=25 °C	150	i	25-200	4	3.1	npn
3DP282	30	7	3	40	5	40 tc=25 °C	150	i	25-200	10	3.1	£!!£_
3D 135	45	0.5	0.1	45	5	6.5tc=40^oC	125	0.5	40-250	200	10	npn
3D 136	45	0.5	0.1	45	5	6.5^=40 °C	125	0.5	40-250	150	10	£!1E_
3C211	40	1	0.1	80	5	4.25	175	1	6-250	50	35	npn
3C3I3	40	1	0.1	80	5	4.25	175	1	6-250	50	35	ZJE.

F) Opracowanie i analiza wyników:

1 Narysować (wy drukować) wszystkie zmierzone charakterystyki.

2.    Na podstawie charakterystyk złącz BE, BC narysowanych w skali logarytmiczno-liniowej i wyznaczyć współczynniki złącza oraz „prądy zerowe” i rezystancję szeregową.

3.    Na podstawie charakterystyk statycznych wyznaczyć parametry schematu zastępczego z parametrami mieszanymi typu h dla wybranego punktu pracy tranzystora.

4.    Narysować charakterystyki prądów zerowych. Sprawdzić teoretyczną zależność pomiędzy 1_c*eo oraz Icbo-

5.    Porównać uzyskane wyniki z danymi katalogowymi.

6.    Skomentować charakterystyki przejściowe i częstotliwościowe wzmacniacza. Wyznaczyć częstotliwości graniczne.

7.    Dokonać kompleksowej analizy- uzyskanych wyników.

literatura pomocnicza:

1.    W. Marciniak „Przyrząd)' półprzewodnikowe i układy scalone"

2.    W. Marciniak „Modele elementów półprzewodników”

3.    A. Kusy „Podstawy elektroniki”

4.    Gray P.E .Searle C.L.- „Podstawy elektroniki

5.    Kołodziejski J. Spiralski L. Stolarski E. „Pomiary przyrządów półprzewodnikowych”