B2

2) Istnieje potrzeba sprawdzenia poniższej struktury pod kątem potencjalnych możliwości generacji napięcia ąuasisinusoidalnego o częstotliwości kątowej (pulsacji) 10 Mrad/s. Wykonać takie badanie według następujących punktów:

+t/_cc=ą2-i/

a)    przyjmując zerowy prąd bazy obliczyć przybliżone współrzędne (I_c U_CE) punktu pracy tranzystora

{nie wiedząc jak znaleźć I_c , proszę przyjąć I_c = \mA }

b)    obliczyć przybliżoną wartość mało sygnałowej trans konduktancji g_m tranzystora w punkcie pracy

{nie wiedząc jak obliczyć g_m , proszę przyjąć g_m = 30mS }

c)    narysować model rozciętej (w punkcie dołączenia końcówki bazy) pętli sprzężenia zwrotnego (tranzystor zastąpić prądowym źródłem sterowanym z parametrem g_m ; w

modelu uwzględnić tylko elementy istotne dla rozważania właściwości struktury dla generacji sinusoidy o częstotliwości 10 Mrad/s)

d)    sprawdzić kolejno spełnienie koniecznych warunków generacji sinusoidalnego przebiegu napięciowego M₀ (0 i jednocześnie znaleźć indukcyjność L zapewniającą generację drgań na o częstotliwości kątowej w przybliżeniu 10 Mrad/s

e) w przypadku spełnienia warunków generacji obliczyć przybliżoną amplitudę napięcia ąuasisinusoidalnego u₀(t) wiedząc, że eksperymentalne stwierdzono, że wielkosygnałowa trans konduktancja (w sensie funkcji opisującej) tranzystora wynosi g_m dla amplitudy U_BEm s U_T i dla większych amplitud maleje ze współczynnikiem a = 40[F^-1 ], czyli

G_m =--—    { Nie wiedząc ile wynosi w standardowych warunkach wartość

« ■ ^UB_Em

liczbowaU_T proszę tu przyjąć 10 mV}