image 3

kilka razy większe od U_BE. Następnie należy przekształcić dzielnik R_l,R₂ w zastępcze źródło napięciowe wg zasady Thevenina (patrz rys. 4.4), gdzie:

Rys. 4.4. Zamiana dzielnika rezystancyjnego na zastępcze źródło napięciowe

Należy ułożyć równanie dla oczka:

Er    ^BEP ^E^E ®

Do obliczeń przyjęto odcinkowo liniowy model tranzystora ([1] s.62). Dla napięć U_BE * U_B£p tranzystor jest aktywny. Najczęściej przyjmuje się U_BEp = 0,7 V.

gdzie:

Rezystory R_{, R₂ powinny być tak dobrane, aby płynący przez nie prąd/j był znacznie większy od prądu bazy (potencjał bazy prawie nie zależy wtedy od /g) i aby równocześnie było spełnione równanie oczkowe powyżej. Można też przyjąć założenie, że zastępcza rezystancja R_B powinna być znacznie większa od r_b,_e, aby jej bocznikujący wpływ (patrz schemat dla składowych zmiennych) nie powodował znaczącej utraty amplitudy sygnału.

PROJEKTOWANIE DLA SKŁADOWYCH ZMIENNYCH

Narysowanie schematu dla składowych zmiennych jest możliwe, jeśli znane są modele wszystkich elementów. Dla zakresu stosunkowo małych częstotliwości elementy bierne R, L, C reprezentowane są przez modele idealne R, L, C. Najczęściej stosowanym modelem tranzystora jest model mieszany II.

W zakresie bardzo dużych częstotliwości potrzebne są schematy dokładniejsze, modelujące wszelkiego rodzaju zjawiska pasożytnicze. Schemat zastępczy dla sygnałów zmiennych powstaje przez zwarcie źródeł napięć stałych (które są dla sygnałów zmiennych zwarciem) i rozwarcie źródeł prądu stałego (które są dla sygnałów zmiennych rozwarciem) — rys. 4.5. Analiza takiego schematu jest stosunkowo prosta, jęśli używa się programu do symulacji układów elektronicznych, jednak zaprojektowanie go jest dosyć kłopotliwe. Dlatego też przyjmuje się założenia upraszczające do celów obliczeniowych. Pasmo częstotliwości dzieli się na zakresy. W każdym zakresie uwzględnia się tylko zjawiska dominujące, a pomija się te, które mają niewielki wpływ na pracę układu. Wyróżnia się trzy umowne zakresy częstotliwości.

— zakres małych częstotliwości, w którym należy uwzględnić reaktancje pojemnościowe ograniczające pasmo częstotliwości od dołu, tj. pojemności CCC

—    zakres średnich częstotliwości, w którym reaktancje pojemnościowe ograniczające pasmo częstotliwości od dołu i od góry mają mały wpływ i mogą być pominięte,

— zakres dużych częstotliwości, w którym należy uwzględnić reaktancje ograniczające pracę układu w zakresie wielkich częstotliwości, tj. pojemności C_e i C._c występujące w tranzystorze.

Granice między poszczególnymi zakresami są płynne i zależą od konkretnego układu. Zakresy te mają znaczenie praktyczne, gdyż umożliwiają w stosunkowo prosty sposób wykonanie obliczeń

' .Model tranzystora

\

Rys. 4.5. Pełny schemat zastępczy wzmacniacza dla składowych zmiennych (z pominięciem

r_bb, w modelu tranzystora)

Zacznijmy od narysowania schematu dla zakresu średnich częstotliwości i określenia skutecznego wzmocnienia napięciowego (k ₀)

65