IMGW26

35

3 h •niż

^: Hyy 3.13. Schemat komory do osadzania z fazy gazowej w warunkach ultrawysokiej próżni I (UHV): a) oporowo grzane źródło parowania, b) „zimny palec", c) napęd skrobaka, d) skrobak, c) Komora do prasowania proszków, f) stempel, g) matryca do prasowania, h) śluza do wyjmowania

wyprasid

Tablica 3.6

ord

Wielkość ziaren nanokrysialicinegD Pd otrzymanego metodą osadzania z fazy gazowej dla różnych temperatur prasowania (gęstość wyprasek 98%) [3)

V—.(K)		Wielkość ziaren, d
		Cnm)
1670	4S0	23 ? 30
1670	300	114-15

fSZ-

MTł-

fZC-

ub-

lym

P'^c‘

by

3.6

ach

3.6. Technika cienkich warstw

EfRozróżnia się dwie metody otrzymywania cienkich warstw: fizyczne osadzanie z fazy gazowej (PVD) oraz chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD).

. Metoda PVD pozwala na otrzymywanie warstw o grubości nanometrycznej. Proces składa się z trzech etapów: otrzymywania par nanoszonego materiału, transportu par na drodze źródło-podłoże oraz wzrostu warstwy z zaadsorbowa-nych cząstek. W celu uzyskania prawidłowego przebiegu procesu temperatura podłoża powinna być niższa od temperatury źródła par, a suma ciśnień cząstkowych reagentów gazowych (gazów i par) w komorze na tyle niska, aby parowanie spełniało warunki parowania swobodnego^ 17].