IMGW50

IMGW50



59

59


Rys. 6.2. Zmiany iloczynu energii (BHW magnesów trwałych

W 1988 roku odkryto, te wytworzenie około 70% fazy krystalicznej, w początkowo amorficznym stopie bogatym w Fe, prowadzi do uzyskania magnetycznie miękkiego materiału o interesujących właściwościach, które są znacznie lepsze nit w przypadku jego amorficznego odpowiednika. Materiały powyższe nazwano fer-romagnetykami rmnokrystalicznymi. Obecnie stanowią one najnowszą generację materiałów magnetycznie miękkich i charakteryzują się dużym magnetycznym momentem nasycenia (dotyczy materiałów na bazie żelaza) oraz małą magneto-strykcją, niską koercją i dużą przenikalnością magnetyczną (dotyczy materiałów na bazie kobaltu).

Tradycyjne ferromagnetyki miękkie (żelazo, stale krzemowe) są materiałami jednofazowymi i ich właściwości zależą od wielkości ziaren. Im ziarno jest większe, tym materiał jest bardziej miękki.

Nowoczesne ferromagnetyki miękkie, nanokrystaliczne, są materiałami dwufazowymi. Cechą charakterystyczną tego typu materiałów jest bardzo drobne ziarno ze średnim rozmiarem ziaren ~10*I5 nm (dla FetoSijo) mniejszym od długości wymiany magnetycznej L» = -JA/K, (A - stała wymiany, K - stała anizotropii), wynoszącej 40*50 nm. Warto podkreślić, te struktura i związane z nią właściwości nie są zbyt czułe na warunki wygrzewania w dość szerokim zakresie temperatur od 773 do 973 K. Przykładowo, w przypadku stopu Fe?3jCuiNb)SiixsB4. w wyniku kontrolowanego procesu krystalizacji (T = 823 K. t = 2 h). zaobserwowano przypadkowo zorientowane bardzo małe ziarna FetoSijo o wielkości 10*15 nm zatopione w matrycy amorficznej, którą stanowi pozostałość fazy amorficznej stopu wyjściowego. Matryca zajmuje około 20*30% objętości i wypełnia obszar pomiędzy nanokrystalitami (średnio 1*2 nm). Na rysunku 6.3 przedstawiono schematyczny rozkład nanokrystalitów Fe*Si2o (T« = 873 K) w amorficznej matrycy FcSiBCuNb (Tc=573 K).


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
MC059 CB e>-r«- Rys. 17 (łz.59) Rys. 13 (cz.50) "MODELCARD" DO PAŹDZIERNIKA 1995 ROK
IMG59 (3) Rys Zależność liczby poziomów kwantowania od liczby bitów przetwornika w—1- Kod binarny n
IMG&59 Rys.IV.28 a) Podaj nazwę rodzajową tego paprotnika.
59 (160) 59 Rys. 4.12. Przedstawianie nieznacznych pochyleń (a) i zbieżności (b) 2. Nieznacznego poc
59 (236) Zmiany w sektorze rolno-spożywczym po rozszerzeniu Linii Europejskiej 59 Po wejściu Polski
19434 strona059 4.9. WYMIAROWANIE PODCIĘC OBRÓBKOWYCH 59 RYS. 4.23 Rysunki wykonawcze podcięć obróbk
75315 Obraz8 (59) Rys. 153. Schemat poziomów energetycznych ilustrujący zjawisko Starka w dublecie
14 59 6. InstAjkge logiczne iloczyn przesyłany jest do akumulatora (A), • komórki wewnętrznej pamię
2012 10 16 24 59 Rys 15 Proponowane sprzęty ni pl*C    (liMlo hup inKid piindcx ęhęv
2012 12 18 15 59 b Rys. 50. Kameralna forma obiektu zabytkowego: a — obiekt wkomponowuj w zieleń, k
Rzuty monge a5 75 §11. O równoległości i prostopadłości prostych i płaszczyzn Rys. 2.59   
SAM59 Rys.l5.o, Charakter)styka idealna ;UI = t(.U przy pominięciu rezystancji dławika i strat w rd
DSC59 Rys. VII. 1. Ilustracja stopnia zmieszania a więc stanowi całkowitego braku wymieszania odpow

więcej podobnych podstron