Page 2

B rekombinacji nośników prądu w bazie

C transporcie nośników prądu przez bazę od kolektora do emitera D jak w C, tylko w odwrotną stronę

12.    W uMadzie ze wspólnym emiterem wzmocnienie prądowe tranzystora bipolarnego wynosi A dokładnie 1

B prawe 1 C dużo więcej niż 1 D nie istnieje takie pojęcie

13.    W stanie aktywnym w tranzystorze bipolarnym

A emiter i kolektor zbierają nośniki mniejszościowe z bazy

B baza zbiera nośniki mniejszościowe wprowadzane z emitera i kolektora

C emiter, baza i kolektor wprowadzają nośniki większościowe do obudowy tranzystora D emiter wprowadza do bazy nośniki mniejszościowe a kolektor je zbiera.

14.    W stanie aktywnym w tranzystorze bipolarnym złącze kolektora polaryzujemy A dla tranzystora pnp zaporowo, dla npn w kierunku przewodzenia

D odwrotnie niż w A C zawsze w kierunku przewodzenia D zawsze zaporowo

15.    Przy pracy impulsywnej opóźnienie włączania i wyłączania tranzystora bipolarnego jest skutkiem A nagrzewania tranzystora

B gromadzenia w bazie mniejszościowych nośników prądu

C nie występuje

D gromadzenia w bazie większościowych nośników prądu

16.    Przekraczanie mocy admisyjnej tranzystora grozi A uszkodzeniu na skutek przegrzania

B uszkodzeniu na skutek ochłodzenia C zmniejszeniu wzmocnienia D nie grozi niczym

17.    Moc admisyjna przyrządu półprzewodnikowego to

A nai\vfeksza moc jaka może się wydzielać w przyrządzie w postaci ciepła bez szkody

B moc potrzebna do zasilania przyrządu półprzewodnikowego C najmniejsza moc jaka może się wydzielić w przyrządzie D takie pojęcie nie istnieje

18.    Tranzystor HBT to tranzystor

A bipolarny z emiterem w postaci złącza PN z materiałów o różnej szerokości pasma zabronionego

B połowy z izolowaną bramką C połowy złączowy D taki tranzystor nie istnieje

19.    W tranzystorze polowym prąd drenu zmienia się na skutek A generacji nośników w kanale

B rekombinacji nośników prądu w kanale C wstrzykiwania nośników prądu do kanału z bramki D Zmiany przekroju kanału na skutek zmian napięcie bramki

20.    W tranzystorze polowym napięcie między bramką i źródłem A generuje nośniki w kanale

B zmienia przekrój kanału

C powoduje rekombinację nośników' w kanale D nie zmienia nic