84606

1. Wstęp teoretyczny

Czas życia jest to parametr oparty na generacji i rekombinacji nośników. Znając czas życia nośników oszacować można stałą czasową przyrządów półprzewodnikowych.

Poznano różne metody oznaczania czasu życia nośników. Jednym z nich jest metoda zaniku fotoprzewodnictwa, polegająca na oświetlaniu próbki krótkotrwałymi impulsami świetlnymi. Na skutek rekombinacji nośników obserwuje się spadek przewodnictwa elektrycznego w czasie. Na podstawie tej zależności wyznaczyć można czas połówkowego zaniku.

Kolejną metodą oznaczania czasu życia nośników jest badanie charakterystyki złącza p-n. Ideą procesu jest gwałtowna zmiana polaryzacji złącza z przepustowej na zaporową. Na oscyloskopie rejestrowana jest zmiana natężenia prądu w czasie, z której wyznaczyć można czas życia nośników.

2. Metoda zaniku fotoprzewodnictwa - obliczenia

T

Czas życia nośników obliczono ze wzoru:    T= -—

In 2

Czas połówkowego zaniku T odczytano z krzywych zarejestrowanych na oscyloskopie.

•    dla próbki germanowej zasilanej napięciem 20V:

a)    modulator amplitudy znacznie oddalony od próbki, częstotliwość 25,23 [1/s]

T = 2lms] stąd: T=    = 2,88 ms

b)    modulator amplitudy ustawiony blisko próbki, częstotliwość 25,23 [1/s]

T=200[ns] stąd: T =    = 288,54»s

•    dla próbki CdS zasilanej napięciem 10 V:

a)    modulator amplitudy znacznie oddalony od próbki, częstotliwość 25,67

T = 2 [ms] stąd: r =    = 2,88 ms

b)    modulator amplitudy ustawiony blisko próbki, częstotliwość 5,07

T = 2 [ms] stąd: r =    = 2,88 ms