Rotation of�F20071123003

.cm«AnMEiiva!&MiM« - j- •■

ion plating), ARE - aktywowane reaktywne naparowanie (activu(c<ł reacllw ration). Często stosuje się dodatkowe oznaczenie określające sposób aktywowaniu, np. dodatkowa elektroda (bios - B), katoda lub anoda wnękowa (hollow calhodt*

- HC, hollow-anode - HA), pole magnetyczne (magnetron - M).

Ze względu na zbieżność procesów nanoszenia powłok ostatnio dzieli się jo na dwie grupy:

a techniki klasycznego nanoszenia, gdzie nanoszenie par metali mut^puii' w próżni (lub atmosferze gazu niezjonizowanego) na czystym I zimnym podłożu w typowym naparowaniu próżniowym, proces nanoszeniu |om zazwyczaj powolny, a pary metalu docierając do podłoża mają niską energię. < u sprawia, że nie mogą one wybić atomów z podłoża, a tylko nu nim osliulalą, w wyniku czego tworzone powłoki mają małą gęstość, słabą adhezję i dużą Iłom zanieczyszczeń,

n techniki jonowego nanoszenia próżniowego (najczęściej reaktywno), które odbywa się na czystym i zimnym lub podgrzanym podłożu, obejmując wieli' technik, które wspólnie można nazwać platerowaniem jonowym, charuklcry/u jącym się bombardowaniem powierzchni nanoszonej powłoki strumlohlom jonów o energii wystarczającej do spowodowania rozpylania, wpływającym na gęstość, szczelność i przyczepność powłoki do podłoża, na skutek usuwaniu wszelkiego rodzaju atomów zanieczyszczeń, co może spowodować równi* / podgrzanie podłoża, a nawet płytką implantację, a także zapewnia korzystny rozkład naprężeń własnych w pobliżu granicy podłoże-powłoka.

Prawie we wszystkich technikach PVD nanoszona powłoka powstaje ze stru mienia zjonizowanej plazmy kierowanej przez wyładowanie elektryczne na podłoże. Dlatego niekiedy techniki nanoszenia powłok z plazmy (z wykorzys taniem jonów) noszą nazwę nanoszenia lub pokrywania jonowego wspomaganego plazmą PAPVD (plasma assisted PVD) lub wykorzystujących jony IAPVD (Ion assisted PVD).

Techniki PAPVD, w odróżnieniu od technik PVD bez obecności plazmy, znal dują coraz większe zastosowanie w procesach nanoszenia cienkich powłok Przemawia za tym większa energia kinetyczna cząstek w komorze urządzenia, co w efekcie daje lepszą adhezję naniesionej powłoki i podłoża. Dodatkowym walorem dużej energii strumienia plazmy jest dobre oczyszczanie powierzchni podłoża.

Metody PAPVD należą do procesów nierównowagowych, gdzie plazma odgrywa ważną rolę podczas krystalizacji powłoki. W niskotemperaturowych metodach PAPVD zastosowanie bombardowania krystalizującej powłoki jonami o energii I eV do 1 keV powoduje między innymi wzrost ruchliwości zaadsorbowunyoh atomów oraz dostarcza energii potrzebnej do aktywacji reakcji chemicznych, Efekty oddziaływań jonu z ciałem stałym zależą od energii jonów i sposobu wyl warzania powłoki (rys. 4.128). Generalnie przyjmuje się, że strumieniowi jonów odpowiada gęstość prądu jonowego na podłożu, natomiast strumień kondennulą cych atomów jest proporcjonalny do szybkości nanoszenia powłoki. Stosunek gęstości strumienia cząstek gazu reaktywnego do ilości kondensujących atomów metali determinuje skład chemiczny oraz fazowy otrzymywanych powłok rcukty wnymi metodami PVD.

W procesach nanoszenia powłok metodami l'VI) należy .a otrzymać możliwie najbardziej jednorodny rozklml poszczególnych .Mielników atmosfery wewnątrz komory roboczej,

» zapewnić wysoki stopień jonizacji utmonlory roboczo) ■klmliducol *lg z par nanoszonego materiału oraz cząstek gazów roaklywnycli I roboczych, Realizacja tych celów jest zapewniona w różnym stopniu w zależności od zastosowanej metody PVD wytwarzania powłok, Do najważniejszych metod PVI) stosowanych do nanoszenia powłok na narzędziach nideźit: m metoda ARE (aethated nsactiw emporation) aktywowano reaktywne naparowanie. polegająca na użyciu działa elektronowego (wiązki elektronów) wysokonapięciowego w celu odparowania materiału w atmosferze gn/.u reukty wnego. Roztopione lustro metalu stanowi zarówno źródło par jak I źródło ciek tronów. Jonizacja, unoszących się nad calu powierzchnia roztopionego lustra,

“5

•3

!—

, ki^yóiializóoio, z Wiązki jonów

termiczna aktywacja

_t desorpcja domieszek_|powstanie aktywnych

implnoUicju

CIUCHCIA JUIUOW

.Clili

penetracją jonów do dół/ utnlnrjo

napylanie

implontncjo

■ ..■■■

*%:>• •'’.-¹⁴■ ' ~ napnrn-wywame

c.Cl

Rysunek 4.128

Rodzaje zależności oddziaływań jonu z ciałem stałym w zależności od energii jonu (według A Michalskiego)

WM1I

vu«n,'*nii«»»jawinw bum

3B7

Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Rotation of?F20071123003 .cm«AnMEiiva!&MiM« -    j- •■ ion plating), ARE - aktyw
PIC 0178 ARE - aktywowane reaktywnie naparowanie przy użyciu działa elektronowego 3ARE - aktywowane
skanowanie0080 (2) —    stories - if they are told well and in an interesting manner,
c2 738 Górski potok 760 W dolinie K 760    85x50 cm AN 760 69x41 cm GC 760 cena 77 zł
c5 H % S ■ ■ s 4229 Po burzy K 4229 34x20 cm AN 422928x17 cm GC 4229 cena 20
c6 4277 Żaglowce 4243 Zamek w górach K 4243    41x24 cm AN 4243    33x
Oki Omie bU eĄ- }!5mn yijjo -i CM [urn] e^Mim>iUa--USQt mn-] n    ■ - *L K^Sj ISSI
skanowanie0080 (2) —    stories - if they are told well and in an interesting manner,
6 12 Making contact in an effective way There are two l)asic rules of making contact in an effective
Military person nel exa/ninethetailsection of a scud missileshotdown by an MIM-104 Patriot Air
F4 5 H0E3 s Netscape • [Rotating An Image] File Edit View Go Bookmarks Options Directory Window
H C3 A4kelblumen 20 2822 29 IM n CA rt ł*C * rv Ot .* CM NMf Kim »an« ■ <MII «M ;6n wiNWiigi
00242 7f0145a3e02f15fce600aed9663867 244 Yander Wiel observations from a process (absent an abrupt
00244 ?a259753683e450f731b8a2757ec91a /-i 246 Yander Wiel N, = a,+X£a, /=o where the a s are iid N

więcej podobnych podstron