S1032938

,11 Stłumi!symulacyjny układu generatora Colpillu / rył. 7/7.1

pandzie przyjęto dużą rezystancję RG — 680 kQ. Ponieważ w toku symu-ję ujawnił się wpływ pojemności tranzystora - dotychczas nie uwzględnia-ii-iorygowano powtórnie (nieznacznie zmniejszając) pojemność obwodu f,_:, fcy uzyskać okres drgań możliwie dokładnie równy T₀ = l//₀ nr i.m<k J. Mtfff j»,?S7W9 ns). Przyjęto C02P = 53,7 pF. Oczywiście, pożądane odstrojenie *    Mu można było uzyskać inaczej, np. zmianą indukcyjności LO.

ncp (napięcia KC01)

K Wykresy napięć w stanie ustalonym są przedstawione na rys. 7/7.5. i NAP za pomocą przyto- Wykresy obliczono za pomocą przytoczonego niżej zadania symulacyjnego •pyku programu NAP.

;mo 27.205 MHz pętli otwartą

odstawiony aa rys. 7/7.4-sramka-kanal. Pojemność h>imino.ść w porównaniu I 3,9 pp, aa podoF

tlllCUlT: C0LD3 (generator Colpmsa z NJFET i ze sprzezeniem źródłowym) f* 27205MHz ■0ŁCOLD3.OUT-

'MUFET/ BE 1.1E-3 VP -2.8 IS 5E-13 CS 1,3P CO 1.1 P>

^; MGA 333 NG 1E-4

'0/D1ODE/ IS 5E-11 VT .028 T7 8N CJ 1.5P Fł .74>

MlGS.1

'Ol 21 3 TC; TQ2 1 3 TD.CG 5 1 400P; RG 1 4 880K ^l®S0.763U;m.O LO 1.373.ROBC 5 0 12K.RSL 3 4 1 90 ^C0'54 327.45P;CO2l* 4 O 63 7P;RC 6 O 391K ^lftł0l6.46U;RLDl LD 6.RLD2 4 O 262K *0020.1 E 12;GDS 2 3 0;GGS 13 0 NE012BU

'GRAPH VROBC VGOS VGGS ®<N:1 cykl